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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括：形成一隔离结构在一半导体基底中；凹陷该半导体基底以形成一第一开口以及一第二开口，其中该第一开口与该第二开口位在该隔离结构的相对两侧，且该第二开口的一宽度大于该第一开口的一宽度；形成一电极层在该半导体基底上；研磨该电极层以形成一熔丝在第一开口中以及形成一电阻器电极在该第二开口中；以及形成一源极漏极SD区在该半导体基底中，其中该SD区位在该熔丝与该隔离结构之间。
主权项：1.一种半导体元件结构的制备方法，包括：形成一隔离结构在一半导体基底中；凹陷该半导体基底以形成一第一开口以及一第二开口，其中该第一开口与该第二开口位在该隔离结构的相对两侧，且该第二开口的一宽度大于该第一开口的一宽度；形成一电极层在该半导体基底上；研磨该电极层以形成一熔丝在第一开口中以及形成一电阻器电极在该第二开口中；以及形成一源极漏极区在该半导体基底中，其中该源极漏极区位在该熔丝与该隔离结构之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有熔丝与电阻器的半导体元件结构的制备方法
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