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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种半导体元件结构，包括一隔离结构，设置在一半导体基底中。该半导体元件结构亦包括一熔丝以及一电阻器电极，设置在该半导体基底中。该隔离结构设置在该熔丝与该电阻器电极之间，且该隔离结构比该熔丝更靠近该电阻器电极。该半导体元件结构还包括一源极漏极SD区，设置在该半导体基底中并且位在该熔丝与该隔离结构之间。该SD区电性连接到该电阻器电极。
主权项：1.一种半导体元件结构，包括：一隔离结构，设置在一半导体基底中；一熔丝以及一电阻器电极，设置在该半导体基底中，其中该隔离结构设置在该熔丝与该电阻器电极之间，且该隔离结构比该熔丝更靠近该电阻器电极；以及一源极漏极SD区，设置在该半导体基底中且位在该熔丝与该隔离结构之间，其中该源极漏极区与该电阻器电极电性连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有熔丝与电阻器的半导体元件结构
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