买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种优化散热性能的SiCVDMOSFET结构，包括栅极、源极、漏极和N+衬底，所述N+衬底的内部左右两侧的上方一体成型有第二通道，所述N+衬底的上表面生长有N‑漂移区，且所述N‑漂移区的内部下方的左右两侧一体成型有第一通道，并且所述第一通道的一端与所述第二通道的一端相连通，所述N‑漂移区的内部下方开设第三通道，所述第三通道的两端分别与所述第一通道的侧面相连通；本发明中设计的SiCVDMOSFET结构，通过在器件内增加绝缘导热棒，提高了器件内部热量向外传递的效率及速率，进而降低半导体器件的热阻，提高SiCVDMOSFET结构的使用寿命。

主权项：1.一种优化散热性能的SiCVDMOSFET结构，包括栅极6、源极7、漏极21和N+衬底22，其特征在于，所述N+衬底22的内部左右两侧的上方一体成型有第二通道18，所述N+衬底22的上表面生长有N-漂移区12，且所述N-漂移区12的内部下方的左右两侧一体成型有第一通道13，并且所述第一通道13的一端与所述第二通道18的一端相连通，所述N-漂移区12的内部下方开设第三通道20，所述第三通道20的两端分别与所述第一通道13的侧面相连通，所述N-漂移区12的内部上方向下凹陷形成P-体区9，每个所述P-体区9的内部掺杂有P+区8和N+区10，所述P+区8和所述N+区10之间构成PN结，所述N-漂移区12、部分所述P-体区9以及部分所述N+区10的上方具有氧化绝缘层1，所述氧化绝缘层1的内部包裹有所述栅极6，所述N-漂移区12的上方左右两侧设置有所述源极7，所述源极7、所述氧化绝缘层1的上表面横向铺设散热片11，所述散热片11的内部中部开设矩形槽3，所述矩形槽3的内部嵌设有金属条4，所述金属条4的下表面与所述氧化绝缘层1的上表面相接触，所述氧化绝缘层1的内部开设第一方形槽17，且所述第一方形槽17贯穿所述栅极6延伸至所述N-漂移区12的内部，所述散热片11的下表面焊接固定有导热棒5，两个所述第一方形槽17之间连通有第二方形槽14，所述第二方形槽14的下表面连通有第三方形槽15，且所述第三方形槽15的底端与所述第三通道20相连通。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种优化散热性能的SiC VDMOSFET结构