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申请/专利权人：西安电子科技大学

摘要：本发明公开了一种具有高抗短路能力的VDMOSFET及制备方法，属于半导体技术领域，该VDMOSFET由若干方形不对称半元胞结构组成，相邻方形不对称半元胞结构包括：衬底层；N‑外延层；第一、第二PWELL；第一、第二P+源区；第一、第二N+源区；第一、第二栅电极；第一、第二源电极；漏电极；其中，从俯视方向看：以第一N+源区的中心为对称轴，包括第一N+源区、第一PWELL和第一P+源区的半元胞结构上下、左右均为不对称；以第二N+源区的中心为对称轴，包括第二N+源区、第二PWELL和第二P+源区的半元胞结构上下、左右均为不对称。本发明通过改变器件的结构可以提升器件的短路能力、降低器件的比导通电阻。

主权项：1.一种具有高抗短路能力的VDMOSFET，其特征在于，所述VDMOSFET包括若干方形不对称半元胞结构；相邻两个方形不对称半元胞结构形成的结构包括：衬底层1；N-外延层2，位于所述衬底层1的上表面；第一PWELL41，位于所述N-外延层2内的一端；第一P+源区61，位于所述N-外延层2内且邻接所述第一PWELL41；第二P+源区62，位于所述N-外延层2内的另一端；第二PWELL42，位于所述N-外延层2内且邻接所述第二P+源区62；其中，所述第一P+源区61和所述第二PWELL42之间形成JFET区3；第一N+源区51，位于所述第一PWELL41内且邻接所述第一P+源区61；第二N+源区52，位于所述第二PWELL42内且邻接所述第二P+源区62；第一栅电极71，位于所述第一PWELL41和部分所述第一N+源区51上；第二栅电极72，位于所述第二PWELL42、部分所述第二N+源区52和部分所述JFET区3上；第一源电极81，位于部分所述第一N+源区51、部分所述第一P+源区61上；第二源电极82，位于部分所述第二N+源区52、部分所述第二P+源区62上；漏电极9，位于所述衬底层1的下表面；其中，从俯视方向看：以所述第一N+源区51的中心为对称轴，包括所述第一N+源区51、所述第一PWELL41和所述第一P+源区61的半元胞结构上下、左右均为不对称结构；以所述第二N+源区52的中心为对称轴，包括所述第二N+源区52、所述第二PWELL42和所述第二P+源区62的半元胞结构上下、左右均为不对称结构；所述第一N+源区51和所述第二N+源区52呈方形结构；所述第一P+源区61和所述第一N+源区51组成方形结构，所述第二P+源区62和所述第二N+源区52组成方形结构，且所述第一P+源区61和所述第二P+源区62分别呈L型结构；所述第一PWELL41、所述第一P+源区61和所述第一N+源区51组成方形结构，所述第二PWELL42、所述第二P+源区62和所述第二N+源区52组成方形结构。

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