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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种改善SiCVDMOSFET开关特性的新型结构，包括若干个相互并列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层，其中N阱层与扩散层之间有P阱层隔绝，单个所述MOS元胞结构的内部沉积有栅极；所述MOS元胞结构的底层欧姆连接有漏极，所述MOS元胞结构的顶层欧姆连接有金属源极，其金属源极与P阱层、N阱层均欧姆短接。本发明通过在扩散层内部离子注入形成重掺杂N阱层二，由于重掺杂N阱层二与扩散层材质相同，故而两者之间电荷导通性能更加优越，而重掺杂N阱一与重掺杂N阱层二的掺杂浓度完全相同，这样在P阱层形成电荷沟道之后可以极大减小两者的导通电阻，从而提高该VDMOSFET器件的开关响应速度。
主权项：1.一种改善SiCVDMOSFET开关特性的新型结构，其特征在于，包括若干个相互并列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层2、扩散层14、P阱层以及N阱层，其中N阱层与扩散层14之间有P阱层隔绝，单个所述MOS元胞结构的内部沉积有栅极4；所述MOS元胞结构的底层欧姆连接有漏极1，所述MOS元胞结构的顶层欧姆连接有金属源极3，其金属源极3与P阱层、N阱层均欧姆短接；所述扩散层14的内部且靠近栅极4位置处离子注入形成重掺杂N阱层二10，其中重掺杂N阱层二10与P阱层欧姆接触；相邻MOS元胞结构之间离子注入形成重掺杂P阱层三13，其中重掺杂P阱层三13抑制扩散层14中电荷向相邻MOS元胞结构内部漂移；所述栅极4施加电压状态下，其扩散层14的内部形成JFET区域17。
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