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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法，所述提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法包括：提供一基材，所述基材包括氮化硅层和氧化硅层；采用磷酸溶液对所述氮化硅层进行蚀刻，且蚀刻过程中通过微波加热所述磷酸溶液以及所述氮化硅层和所述氧化硅层，其中，所述氮化硅层掺有碳源,和或所述氧化硅层采用多孔氧化硅，从而达到提高所述氮化硅层和所述氧化硅层蚀刻选择比的目的。由于整个蚀刻过程中无需在磷酸溶液中引入昂贵添加剂来实现氮化硅层和氧化硅层蚀刻选择比的提高，因而解决了现有方法存在的成本偏高和污染较大的技术问题。
主权项：1.一种提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法，包括：提供一基材，所述基材包括氮化硅层和氧化硅层；采用磷酸溶液对所述氮化硅层进行蚀刻，且蚀刻过程中通过微波加热所述磷酸溶液以及所述氮化硅层和所述氧化硅层；其中，所述氮化硅层掺有碳源,和或所述氧化硅层采用多孔氧化硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法
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