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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要：本发明公开了一种LTCC基板的无压式约束烧结方法，包括：基于LTCC即低温共烧陶瓷技术进行生瓷层压时，在生瓷胚体上表面设置强制压片对凸起部分强制加压，得到表面平整的LTCC胚体；将所述LTCC胚体、随动支撑块以及约束压板按照相对位置摆放在承烧板上；所述随动支撑块设置有多个，且均匀设置在LTCC胚体四周；所述约束压板设置在LTCC胚体正上方，并由随动支撑块支撑且不与LTCC胚体接触；基于LTCC共烧设备和烧结条件，对设置好随动支撑块和约束压板的LTCC胚体进行烧结，实现高平整度的LTCC陶瓷基板烧制。本发明可降低基板在烧结过程中的翘曲情况，提升LTCC基板最终平整度。
主权项：1.一种LTCC基板的无压式约束烧结方法，其特征在于，包括：基于LTCC即低温共烧陶瓷技术进行生瓷层压时，在生瓷胚体上表面设置强制压片对凸起部分强制加压，得到表面平整的LTCC胚体；将所述LTCC胚体、随动支撑块以及约束压板按照相对位置摆放在承烧板上；所述随动支撑块设置有多个，且均匀设置在LTCC胚体四周；所述约束压板设置在LTCC胚体正上方，并由随动支撑块支撑且不与LTCC胚体接触；基于LTCC共烧设备和烧结条件，对设置好随动支撑块和约束压板的LTCC胚体进行烧结，实现高平整度的LTCC陶瓷基板烧制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种LTCC基板的无压式约束烧结方法
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