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申请/专利权人：上海灵动微电子股份有限公司
摘要：本发明提供一种降低读干扰的存储系统和方法，存储系统包括flash控制器和flash存储器，flash控制器和flash存储器之间设置有缓存单元，缓存单元用于存储缓存数据，缓存数据包括预设时间段内最常访问的若干个访问地址及其对应的访问数据；flash控制器在接收到主机发出的读取命令时，根据读取命令判断缓存单元中是否存储有读取命令所需的目标地址；若判断为是，根据目标地址从缓存单元中确定目标数据发送至主机；若判断为否，根据目标地址从flash存储器中确定目标数据发送至主机，并将目标地址和目标数据写入缓存单元。通过设置缓存单元，减少了对flash存储器中数据的读取次数，降低了读干扰问题。
主权项：1.一种降低读干扰的存储系统，其特征在于，所述存储系统包括flash控制器和flash存储器，所述flash控制器和所述flash存储器之间设置有缓存单元，所述缓存单元用于存储缓存数据，所述缓存数据包括预设时间段内最常访问的若干个访问地址及其对应的访问数据；所述flash控制器在接收到主机发出的读取命令时，根据所述读取命令判断所述缓存单元中是否存储有所述读取命令所需的目标地址；若判断为是，根据所述目标地址从所述缓存单元中确定目标数据发送至所述主机；若判断为否，根据所述目标地址从所述flash存储器中确定所述目标数据发送至所述主机，并将所述目标地址和所述目标数据写入所述缓存单元；其中，所述缓存数据包括访问次数，所述访问次数用于表示所述访问地址在所述预设时间段内被命中的访问次数；所述flash控制器在所述缓存单元中的所述访问地址被命中时，控制被命中的所述访问地址对应的所述访问次数加一；所述缓存数据包括连续未被命中次数，所述连续未被命中次数用于表示所述访问地址在所述预设时间段内连续的没有被命中的次数；所述flash控制器在所述缓存单元中的所述访问地址被命中时，控制被命中的所述访问地址对应的所述连续未被命中次数变更为预设值，控制其他所述访问地址对应的其他所述连续未被命中次数加一。
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百度查询： 上海灵动微电子股份有限公司 一种降低读干扰的存储系统和方法
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