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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种具有内部光吸收损耗抑制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上限制层包括第一子上限制层和第二子上限制层，所述第一子上限制层与所述第二子上限制层之间设置有内部光吸收损耗抑制层，所述内部光吸收损耗抑制层、第一子上限制层和第二子上限制层中均具有价带有效态密度变化趋势和饱和电子偏移速率变化趋势。本发明能够降低上限制层对光场的吸收损耗，提升空穴浓度和注入效率，提升有源层载流子分布均匀性，从而提升发光器的发光效率和斜率效率。
主权项：1.一种具有内部光吸收损耗抑制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述上限制层包括第一子上限制层和第二子上限制层，所述第一子上限制层位于所述第二子上限制层下方，所述第一子上限制层与所述第二子上限制层之间设置有内部光吸收损耗抑制层，所述内部光吸收损耗抑制层、第一子上限制层和第二子上限制层中均具有价带有效态密度变化趋势和饱和电子偏移速率变化趋势；所述内部光吸收损耗抑制层的价带有效态密度的峰值位置往第一子上限制层方向的下降角度为α，内部光吸收损耗抑制层的价带有效态密度的峰值位置往第二子上限制层方向的下降角度为β，所述第一子上限制层的价带有效态密度的峰值位置往有源层方向的下降角度为γ，所述第二子上限制层的价带有效态密度的峰值位置往表面方向的下降角度为θ，其中：30°≤α≤β≤γ≤θ≤90°，角度为沿曲线的切线倾斜角；所述内部光吸收损耗抑制层的饱和电子漂移速率的谷值位置往第一子上限制层方向的上升角度为δ，内部光吸收损耗抑制层的饱和电子漂移速率的谷值位置往第二子上限制层方向的上升角度为σ，所述第一子上限制层的饱和电子漂移速率的谷值位置往有源层方向的上升角度为φ，所述第二子上限制层的饱和电子漂移速率的谷值位置往表面方向的上升角度为ψ，其中：20°≤δ≤σ≤φ≤ψ≤90°。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有内部光吸收损耗抑制层的半导体激光器
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