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申请/专利权人：株式会社SK电子
摘要：本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法和光掩模。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。
主权项：1.一种光掩模的制造方法，其特征在于，包含：准备光掩模坯件的工序，其中，所述光掩模坯件在透射性基片上具有下层膜，在所述下层膜上具有上层膜；在所述上层膜上形成抗蚀剂膜的工序；对所述抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域的曝光工序；选择性地去除所述第一区域的第一抗蚀剂去除工序；蚀刻所述上层膜和所述下层膜的第一蚀刻工序；选择性地去除所述第二区域的第二抗蚀剂去除工序；相对于所述下层膜选择性地蚀刻所述上层膜的第二蚀刻工序；和去除所述第三区域的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社SK电子 光掩模的制造方法和光掩模
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