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包括夹层介电结构的垂直功率半导体装置 

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申请/专利权人:英飞凌科技股份有限公司

摘要:本公开涉及包括夹层介电结构的垂直功率半导体装置。提出一种垂直功率半导体装置100。垂直功率半导体装置包括碳化硅SiC半导体主体102,所述SiC半导体主体102包括沟槽结构104。在SiC半导体主体102的第一表面106,沟槽结构104延伸到SiC半导体主体102中。沟槽结构104包括栅电极1041以及布置在栅电极1041和SiC半导体主体102之间的栅极电介质1042。夹层介电结构108被布置在沟槽结构104上。夹层介电结构108包括氮化铝层1081、氮化硅层、氧化铝层或氮化硼层中的至少一个层。垂直功率半导体装置100还在夹层介电结构108上包括源电极或发射极电极S。

主权项:1.一种垂直功率半导体装置100,包括:碳化硅SiC半导体主体102,包括沟槽结构104,所述沟槽结构104在所述SiC半导体主体102的第一表面106延伸到所述SiC半导体主体102中,其中所述沟槽结构104包括栅电极1041以及布置在所述栅电极1041和所述SiC半导体主体102之间的栅极电介质1042;夹层介电结构108,在所述沟槽结构104上,其中所述夹层介电结构108包括氮化铝层1081、氮化硅层、氧化铝层或氮化硼层中的至少一个层;和源电极或发射极电极S,在所述夹层介电结构108上。

全文数据:

权利要求:

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