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申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明提供了一种高分子添加剂辅助9,10‑二苯乙炔基蒽单晶生长的方法，解决现有方法生长的BPEA晶体存在沿π‑π堆叠方向生长取向严重，单晶生长尺寸小、长宽比高、质量差，难以发挥其单晶优势的技术问题。该方法将提纯后的原料晶体粉末溶解在有机溶剂中，配制溶液，并加入高分子添加剂聚乙烯吡咯烷酮PVP，且PVP浓度为0.25～1.25mgml，过滤后使用带有通孔的封口膜进行密封，随后恒温静置挥发3～20天，便可得到高质量、低长宽比的BPEA单晶。
主权项：1.一种高分子添加剂辅助9,10-二苯乙炔基蒽单晶生长的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、原料提纯：在温度为T1的恒温环境下，将9,10-二苯乙炔基蒽原料溶解在第一有机溶剂中，配制饱和溶液，抽滤以去除杂质，静置挥发，得到9,10-二苯乙炔基蒽沉淀并烘干；其中，T1为40-60℃；S2、溶液配制：将S1提纯后的9,10-二苯乙炔基蒽原料溶解于温度为T2的第二有机溶剂中，配制欠饱和溶液，并加入聚乙烯吡咯烷酮，之后在温度为T3的恒温环境下搅拌均匀；其中，聚乙烯吡咯烷酮的浓度为0.25～1.25mgml；T2为20～35℃；T2≤T3≤T2+10℃；S3、溶液过滤：在温度为T4的恒温环境下，采用有机针头过滤器对S2配制的溶液进行过滤，收集滤液；其中，T2≤T4≤T2+10℃；S4、溶剂挥发：使用设置有通孔的封口膜将S3得到的滤液封口，并在与S2配置溶液温度相同的恒温环境下，静置挥发3～20天；S5、挥发结晶：待9,10-二苯乙炔基蒽晶体生长结束后，在温度为T5的恒温环境下，取出晶体清洗并干燥，得到9,10-二苯乙炔基蒽单晶；其中，T2≤T5≤T2+10℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学 一种高分子添加剂辅助9,10-二苯乙炔基蒽单晶生长的方法
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