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申请/专利权人：苏州德信芯片科技有限公司
摘要：本发明涉及二极管技术领域，公开了高功率二极管及其制备方法，其中，高功率二极管包括衬底层、第一外延层、第二外延层、第一导电层以及第二导电层；第一外延层位于衬底层的一侧表面，第二外延层位于第一外延层背离衬底层的一侧表面，且第二外延层具有扩散区域，第一导电层与扩散区域电连接，第二导电层位于衬底层背离第一外延层的一侧表面，且与衬底层电连接，衬底层与第一外延层的导电类型相反，第二外延层与扩散区域的导电类型相反，且第一外延层的导电类型和第二外延储能的导电类型相反，衬底层和第一外延层之间形成PN结，扩散区域和第二外延层之间形成PN结，通过芯片结构实现了两个PN结的串联，提升了高功率二极管的功率。
主权项：1.一种高功率二极管，其特征在于，包括：衬底层1；第一外延层2，位于所述衬底层1的一侧表面；第二外延层3，位于所述第一外延层2背离所述衬底层1的一侧表面，且所述第二外延层3中具有第一扩散区域5；第一导电层41，与所述第一扩散区域5电连接；第二导电层42，位于所述衬底层1背离所述第一外延层2的一侧表面，且与所述衬底层1电连接；所述衬底层1与所述第一外延层2的导电类型相反，所述第二外延层3与所述第一扩散区域5的导电类型相反，且所述第一外延层2的导电类型和所述第二外延层3的导电类型相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州德信芯片科技有限公司 一种高功率二极管及其制备方法
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