龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：苏州实验室
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管，由下至上依次包括衬底、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、复合n型层、多量子阱有源区、p型AlGaN层和p型GaN欧姆接触层，以及设置在复合n型层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极，其中复合n型层是由石墨烯层、n‑AlGaN层、石墨烯层组成。本发明采用具有极高电子迁移率的二维石墨烯材料包夹n‑AlGaN层的复合层作为n型层，既能够缓解晶格失配，减少材料中的缺陷，提高外延层的晶体质量，又有利于电子迅速横向扩展，从而得以均匀地注入多量子阱有源区，提升紫外发光二极管的光电性能。
主权项：1.一种紫外发光二极管，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底101、低温AlN成核层102、高温AlN缓冲层103、非掺杂AlGaN缓冲层104、下层石墨烯层1051、n-AlGaN层1052、上层石墨烯层1053组成的复合n型层105、多量子阱有源区106、p型AlGaN层107和p型GaN欧姆接触层108，以及在所述n-AlGaN层1052上设置的n型电极109和在所述p型GaN欧姆接触层108上设置的p型电极110；所述下层石墨烯层1051、所述n型AlGaN层1052以及所述上层石墨烯层1053组成复合n型层105。
全文数据：
权利要求：
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号