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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明提供一种识别AlGaNGaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaNGaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaNGaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaNGaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaNGaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。
主权项：1.一种识别AlGaNGaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、测试AlGaNGaN-HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；步骤S2、采用深能级瞬态谱技术，在不同栅极电压下对AlGaNGaN-HEMTs进行深能级缺陷测试，其中，所述栅极电压能够覆盖开态、半开态和关态；步骤S3、分析不同栅极电压条件下AlGaNGaN-HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域，包括：不同栅极电压条件下，AlGaNGaN-HEMTs分别处于开态、半开态或关态，根据所述步骤S2中得到的不同栅极电压下深能级瞬态谱的峰形变化分析AlGaNGaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种识别AlGaN/GaN-HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法
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