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申请/专利权人：美商矽成积体电路股份有限公司
摘要：一种FinFET堆叠栅存储器，其包含基板、浅沟槽隔离结构及存储单元区。浅沟槽隔离结构设置于基板，且包含浅沟槽隔离氧化物，其中浅沟槽隔离氧化物设置于浅沟槽隔离结构内。存储单元区包含氮化层、浮栅结构、氧化物‑氮化物‑氧化物层及控制栅结构。氮化层设置于浅沟槽隔离结构的表面与基板的表面之下。浮栅结构设置于穿隧氧化物。浅沟槽隔离氧化物设置于氧化物‑氮化物‑氧化物层与氮化层之间。氧化物‑氮化物‑氧化物层位于浮栅结构与控制栅结构之间。因此，有助于提升FinFET堆叠栅存储器的电流稳定性。
主权项：1.一种FinFET堆叠栅存储器，其特征在于，包含：一基板；一浅沟槽隔离结构，设置于该基板，且包含：一浅沟槽隔离氧化物，设置于该浅沟槽隔离结构内；以及一存储单元区，包含：一氮化层，设置于该浅沟槽隔离结构的一表面与该基板的一表面之下；一浮栅结构，设置于一穿隧氧化物；一氧化物-氮化物-氧化物层，设置于该浮栅结构与该浅沟槽隔离结构，该浅沟槽隔离氧化物设置于该氧化物-氮化物-氧化物层与该氮化层之间；及一控制栅结构，设置于该氧化物-氮化物-氧化物层，且该氧化物-氮化物-氧化物层位于该浮栅结构与该控制栅结构之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美商矽成积体电路股份有限公司 FinFET堆叠栅存储器
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