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申请/专利权人：学校法人关西学院;丰田通商株式会社
摘要：在由包含TaC的材料组成的TaC容器2内收容由包含多晶SiC的材料组成的SiC容器3，且在将衬底基板40收容在该SiC容器3内部的状态下，以该TaC容器2内成为Si蒸气压力的方式且以产生温度梯度的环境加热TaC容器2。其结果，通过因SiC容器3的内表面被蚀刻而升华的C原子和环境中的Si原子键合，在衬底基板40上生长单晶3C‑SiC的外延层41。
主权项：1.一种用于气相外延生长方法的SiC容器，其特征在于：所述气相外延生长方法中，进行外延层生长工艺，所述SiC容器是在Si蒸气压力下被加热的容器，所述SiC容器包括能够彼此嵌合的上部容器和下部容器，由此，气体原子能够从所述Si容器的内部移动到外部或者从外部移动到内部，在加热处理时使内部空间产生Si蒸气和C蒸气，所述外延层生长工艺中，在加热处理时成为准封闭系统的所述SiC容器的内部空间中收容衬底基板，所述SiC容器的外部形成为Si蒸气压力，所述SiC容器的所述内部空间形成为Si+C环境，通过设置温度梯度并进行加热处理，使单晶SiC的外延层在衬底基板上生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 学校法人关西学院 丰田通商株式会社 气相外延生长方法及带有外延层的基板的制备方法
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