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申请/专利权人：福建华佳彩有限公司
摘要：本实用新型提供了一种改善曝光机光刻精度的掩膜版，所述光刻掩膜版由基板、镀层、薄膜和框架构成，所述框架围设于所述基板的下方，所述镀层和薄膜位于所述框架内部，且依次设置于所述基板的下方，所述镀层由若干遮光区和透光区依次交替排列构成，所述遮光区的宽度为L,所述透光区的宽度为D，光刻后形成的金属线宽为l,金属线距为d,其中L‑l＝‑0.6um，D‑d＝0.6um。本实用新型采用Mask掩膜版设计尺寸‑ADI光刻工艺后线宽尺寸＝‑0.6um的弱曝设计方式，能保证有足够大的space来提升光刻精度，简单方便，成本低。
主权项：1.一种改善曝光机光刻精度的掩膜版，其特征在于：所述掩膜版由基板、镀层、薄膜和框架构成，所述框架围设于所述基板的下方，所述镀层和薄膜位于所述框架内部，且依次设置于所述基板的下方，所述镀层由若干遮光区和透光区依次交替排列构成，所述遮光区的宽度为L,所述透光区的宽度为D，光刻后形成的金属线宽为l,金属线距为d,其中L-l＝-0.6um，D-d＝0.6um。
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百度查询： 福建华佳彩有限公司 一种改善曝光机光刻精度的掩膜版
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