买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：中国石油大学(华东)

摘要：本发明公开了一种将醋酸铯CsAc作为修饰剂调控全无机CsPbBr3钙钛矿薄膜晶体生长的方法。通过预埋CsAc牺牲层修饰底界面，使CsPbBr3薄膜上由于膨胀产生的裂纹消失，晶粒大且均匀，缺陷态明显减少。引入CsAc后ETL的电子迁移率由6.19×10‑4提高至9.52×10‑4cm2V‑1s‑1,提高了53％，且修饰后的器件缺陷态密度由1.448×1017降低到6.725×1016cm‑3，减少了50％，最后基于CsAc中间层的CsPbBr3PSC获得了10.07％的PCE。主要原因是一定浓度的CsAc溶液旋涂在SnO2上，通过两步法制备CsPbBr3薄膜时，CsAc中的Cs+首先与PbBr2反应，在底界面预先生成一部分CsPb2Br5，而后CsPb2Br5又与CsBr溶液反应，进一步生成纯相CsPbBr3，由此改善了薄膜的结晶过程，使晶粒更大且分布均匀，薄膜质量增强。受益于CsAc基钙钛矿薄膜埋底界面的增强，相应PSC光伏参数都得到了显著改善。

主权项：1.本发明提供了一种利用醋酸铯CsAc钝化埋底界面，提高ETL电导率，同时释放底界面 的拉伸应变的高效率全无机钙钛矿器件的制备方法及应用，具体包括：将一定浓度的CsAc 溶液旋涂在SnO2上，在引入CsAc后Cs+首先与PbBr2反应，在底界面预先生成一部分CsPb2Br5， 而后CsPb2Br5又与CsBr溶液反应，进一步生成纯相CsPbBr3，由此改善了薄膜的结晶过程使 薄膜质量增强，同时Ac-作为一种掺杂离子，它具有比Br-更小的离子半径，因此可以取代部 分Br-，收缩晶体晶格形成更稳定的晶体结构，释放了底界面应力。同时CsAc的引入可以大 大减少底界面的缺陷，修饰后的薄膜晶粒更大且分布均匀，裂缝消失且晶粒之间结合紧密。 所述CsAc分子修饰CsPbBr3钙钛矿器件的制备方法简单、成本低廉，条件温和，可适用于大 规模生产。根据本发明所制得的CsPbBr3钙钛矿太阳能电池，效率和环境稳定性均得到了显 著的提高。所制备的器件光电转换效率提升了30％，与对照器件相比，其相对湿度50％～ 60％下放置30天后，仍然维持在原来的90％。 CsAc修饰的CsPbBr3钙钛矿太阳能电池器件，其特征在于，CsAc调控CsPbBr3薄膜的埋底界面的结晶性和释放埋藏界面应力。所述CsAc辅助调控是由CsAc溶于水中，经搅拌过滤和旋涂后退火获得。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国石油大学(华东) 一种无机金属盐修饰制备高质量CsPbBr₃钙钛矿薄膜的方法