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申请/专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
摘要：本发明提供一种高反射单晶硅碱抛添加剂、碱抛液及制备方法与用途。所述高反射单晶硅碱抛添加剂包括质量份如下的各组分：保护剂1‑2份；抛光剂1‑5份；表面活性剂0.1‑1份；缓蚀剂0.5‑2份；去离子水60‑80份。所述保护剂为硅醚类化合物；所述抛光剂为含锂化合物；所述表面活性剂为十二烷基葡糖苷、癸基葡糖苷、吡喃葡萄糖苷和邻硝基苯‑β‑D‑吡喃半乳糖苷中的一种或多种；所述缓蚀剂为聚谷氨酸、聚赖氨酸、间羟基苯甲酸和对羟基苯甲酸中的一种或多种。本发明添加有碱抛添加剂的碱抛液能改善硅片的抛光效果，实现高选择性腐蚀，最终得到高反射背抛面的单晶硅片，进而提高太阳能电池转换效率。
主权项：1.一种高反射单晶硅碱抛添加剂，其特征在于，包括质量份如下的各组分：保护剂1-2份；抛光剂1-5份；表面活性剂0.1-1份；缓蚀剂0.5-2份；去离子水60-80份；所述保护剂为硅醚类化合物；所述抛光剂为含锂化合物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江奥首材料科技有限公司 一种高反射单晶硅碱抛添加剂、碱抛液及制备方法与用途
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