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申请/专利权人：江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括依次层叠设置的缓冲层、N‑AlGaAs电流扩展层、N‑AlGaAs限制层、多量子阱层、P‑AlGaAs限制层、P‑AlGaAs电流扩展层、P型GaAs欧姆接触层，P‑AlGaAs电流扩展层为C掺杂AlGaAs层和Mg掺杂AlGaAs层周期性交替层叠形成的超晶格，有利于将外延层的空穴分布得更加均匀，生长出高质量、高均匀性的外延层，提高LED芯片的良率，同时减少吸光，有效提高发光效率和发光强度。
主权项：1.一种正极性红外LED的外延结构，其特征在于，包括依次层叠设置的缓冲层、N-AlGaAs电流扩展层、N-AlGaAs限制层、多量子阱层、P-AlGaAs限制层、P-AlGaAs电流扩展层、P型GaAs欧姆接触层；其中，所述P-AlGaAs电流扩展层为C掺杂AlGaAs层和Mg掺杂AlGaAs层周期性交替层叠形成的超晶格，周期数为33～150，每个周期中，所述C掺杂AlGaAs层位于所述Mg掺杂AlGaAs层的下方。
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权利要求：
百度查询： 江西耀驰科技有限公司 江西兆驰半导体有限公司 一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法
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