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基于GaN单片集成的二倍频器、驱动源 

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申请/专利权人:北京晨晶电子有限公司

摘要:本发明提供一种基于GaN单片集成的二倍频器、驱动源,其中二倍频器包括肖特基二极管、匹配电路以及电路基板;肖特基二极管与匹配电路采用单片集成于电路基板上;匹配电路是基于三角形渐变结构和二项式匹配结构的微带线得到的,三角形渐变结构包括首端和尾端,首端的尺寸小于尾端的尺寸;首端与肖特基二极管连接,尾端与二项式匹配电路连接。本发明提供的二倍频器、驱动源,通过将肖特基二极管与匹配电路采用单片集成于电路基板上,匹配电路采用三角形渐变结构,有效缩短电路长度,减小匹配电路所占的整体尺寸,减小二倍频器的功率损耗,则提升了二倍频器的耐功率水平,进而提升了基于二倍频器得到的驱动源的输出功率。

主权项:1.一种二倍频器,其特征在于,包括:肖特基二极管、匹配电路以及电路基板;所述肖特基二极管与所述匹配电路采用单片集成于所述电路基板上;所述匹配电路是基于三角形渐变结构和二项式匹配结构的微带线得到的,所述三角形渐变结构包括首端和尾端,所述首端的尺寸小于所述尾端的尺寸;所述首端与所述肖特基二极管连接,所述尾端与二项式匹配电路连接。

全文数据:

权利要求:

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