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合成三氯氢硅的系统和方法 

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申请/专利权人:中国恩菲工程技术有限公司

摘要:本发明提供了一种合成三氯氢硅的系统和方法。该合成三氯氢硅的系统包括:三氯氢硅合成反应装置、第一气固分离单元、第一尾气处理单元、四氯化硅氢化反应装置、第二气固分离单元、第二尾气处理单元以及产物分离提纯单元。本申请上述系统通过融合三氯氢硅合成反应与四氯化硅氢化反应的工艺流程,实现了硅粉、氢气以及四氯化硅的高效利用,节省了投资和运行成本,同时减少了原料消耗量。

主权项:1.一种合成三氯氢硅的系统,其特征在于,所述合成三氯氢硅的系统包括:三氯氢硅合成反应装置100,用于使氯化氢和第一硅粉反应生成含有三氯氢硅的合成尾气,所述三氯氢硅合成反应装置100设置有氯化氢入口101、第一硅粉入口102以及合成尾气出口103;第一气固分离单元200,所述第一气固分离单元200设置有第一进气口201和第一分离气出口202;所述第一进气口201与所述合成尾气出口103连通;第一尾气处理单元300,用于富集所述第一分离气出口202排出的气体中的含氯硅烷以得到第一含氯硅烷富集物和第一回收氢气,所述第一尾气处理单元300设置有第二进气口301、第一含氯硅烷富集物出口302以及第一回收氢气出口303;所述第二进气口301与所述第一分离气出口202连通;四氯化硅氢化反应装置400,用于使四氯化硅与氢气发生氢化反应生成含有三氯氢硅的氢化尾气,所述四氯化硅氢化反应装置400设置有第一氢气入口401、四氯化硅入口402、第一回收氢气入口403、氢化尾气出口404以及可选的补充硅粉入口;所述第一回收氢气入口403与所述第一回收氢气出口303连通;所述补充硅粉入口用于额外引入补充硅粉至所述四氯化硅氢化反应装置400中;第二气固分离单元500,所述第二气固分离单元500设置有氢化尾气入口501、第一硅粉出口502和第二分离气出口503;所述氢化尾气入口501与所述氢化尾气出口404连通;所述第一硅粉出口502与所述第一硅粉入口102连通,用于为三氯氢硅的合成反应提供原料;第二尾气处理单元600,用于富集所述第二分离气出口503排出的气体中的含氯硅烷以得到第二含氯硅烷富集物和第二回收氢气,所述第二尾气处理单元600设置有第三进气口601、第二含氯硅烷富集物出口602以及第二回收氢气出口603;所述第三进气口601与所述第二分离气出口503连通;所述第二回收氢气出口603与所述第一氢气入口401连通;产物分离提纯单元700,用于对所述第一含氯硅烷富集物和或所述第二含氯硅烷富集物进行分离提纯以得到四氯化硅、三氯氢硅和渣料,所述产物分离提纯单元700设置有含氯硅烷富集物入口701、四氯化硅采出口702、三氯氢硅采出口703以及渣料排放口704;所述含氯硅烷富集物入口701与所述第一含氯硅烷富集物出口302以及所述第二含氯硅烷富集物出口602连通;所述四氯化硅采出口702与所述四氯化硅入口402连通。

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权利要求:

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