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申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
摘要：公开了具有至少三个硅原子、氧原子以及有机氨基的有机氨基聚硅氧烷，以及制备所述有机氨基聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
主权项：1.一种通过可流动化学气相沉积FCVD来沉积含硅和氧的膜的方法，所述方法包括：将包含表面特征的衬底置于反应器中，其中将所述衬底保持在-20℃至400℃范围的一个或多个温度下，并将所述反应器的压力保持在100托或更低；引入选自式A至H的至少一种有机氨基聚硅氧烷化合物： 其中，R1选自直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基；和R2选自氢、直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、C3至C10环烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基，其中式A-H中的R1和R2连接以形成环状环结构或不连接形成环状环结构；向所述反应器中提供氧源以与所述至少一种化合物反应以形成膜并覆盖所述表面特征的至少一部分；在100℃至1000℃的一个或多个温度下对所述膜退火以涂覆所述表面特征的至少一部分；和在20℃至1000℃范围的一个或多个温度下用氧源处理所述衬底以在所述表面特征的至少一部分上形成所述含硅和氧的膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于沉积含硅膜的有机氨基聚硅氧烷
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