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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种高光效倒装LED芯片及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上形成外延层；在P型半导体层上形成透明导电层，蚀刻形成N型半导体台面和P型半导体台面；在N型半导体台面、P型半导体台面及台面侧壁上形成介质层；对P型半导体台面上的介质层开设周期性导电通孔，暴露透明导电层，在周期性导电通孔内及介质层上形成金属反射层；对N型半导体台面上的介质层开设通孔，暴露N型半导体台面；在金属反射层和介质层上形成透明保护层，对透明保护层开设电极通孔并分别暴露金属反射层和N型半导体台面；在电极通孔内形成P电极和N电极。实施本发明，可以实现倒装LED芯片的光效提升。
主权项：1.一种高光效倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供一衬底，在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括依次沉积的N型半导体层、有源层和P型半导体层；2在所述P型半导体层上形成透明导电层，蚀刻部分外延层直至暴露所述N型半导体层，形成N型半导体台面和P型半导体台面；3在所述N型半导体台面、P型半导体台面及台面侧壁上形成介质层；4对所述P型半导体台面上的所述介质层开设周期性导电通孔，暴露透明导电层，在所述周期性导电通孔内及介质层上形成金属反射层；对所述N型半导体台面上的所述介质层开设通孔，暴露所述N型半导体台面；5在所述金属反射层和介质层上形成透明保护层，对透明保护层开设电极通孔并分别暴露金属反射层和N型半导体台面；6在所述电极通孔内形成P电极和N电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种高光效倒装LED芯片及其制备方法
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