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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明提供了一种利用应力快速评估碳化硅衬底基平面位错（BPD）密度的方法，属于半导体技术领域。本发明通过对待测试的碳化硅衬底进行应力检测，获取待测衬底的应力情况，对完成应力检测的碳化硅衬底进行熔融碱腐蚀并检测其BPD密度，综合分析BPD密度检测结果和应力检测结果，通过数据拟合，得出碳化硅样品局部区域的BPD密度与应力的函数关系式。采用间接测试的方法将BPD密度检测转化为应力检测，通过晶片的应力快速评估出碳化硅样品局部区域的BPD密度，同时兼顾了传统测试方法中无损测试和低成本的优点，使得测试过程简便化，提高了实验测试的效率。
主权项：1.一种利用应力快速评估碳化硅衬底基平面位错密度的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对待测试的碳化硅衬底进行应力检测，选取任意区域，获取待测衬底的应力平均值（MPa）X；（2）评估碳化硅衬底局部区域的BPD密度（cm-2）Y，函数关系式如下： 。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种利用应力快速评估碳化硅衬底基平面位错密度的方法
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