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申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要：本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
主权项：1.压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述压阻式压力传感器采用5层SOI硅片（100）和普通硅片（200）制成，所述5层SOI硅片（100）包括由上至下依次布置的第一结构层（11）、第一埋氧层（12）、第二结构层（13）、第二埋氧层（14）及衬底层（15），制备方法包括如下步骤：S01：在5层SOI硅片（100）的第一结构层（11）上刻蚀形成岛状结构（112）；S02：使普通硅片（200）的上下表面氧化形成氧化膜（21）后，双面光刻形成通孔的刻蚀图形、双面同时刻蚀形成通孔（22）；S03：将5层SOI硅片（100）的形成有岛状结构（112）的第一结构层（11）与形成有通孔（22）的普通硅片（200）键合连接；S04：去除5层SOI硅片（100）的衬底层（15）和第二埋氧层（14）；S05：在5层SOI硅片（100）的第二结构层（13）上制作压敏电阻（300）。
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权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种压阻式压力传感器及其制备方法
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