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申请/专利权人：西北有色金属研究院
摘要：本发明公开了一种Bi系高温超导块体的制备方法，该方法包括：一、将Bi系前驱体粉末冷压得到Bi系冷压块体；二、一次烧结得到Bi系烧结块体；三、中间压制得到Bi系压制块体；四、二次烧结得到Bi系高温超导块体。本发明采用两次烧结结合中间压制的方法，并对中间压制和两次烧结工艺参数进行控制，以获得较少的晶核，并提高晶粒生长速率，使得大晶粒充分生长，实现了片状粉末的密堆积以及形核和生长过程的解耦，得到具有更高晶间连接性的块体，进而获得具有高超导相含量和高织构度Bi系高温超导块体，且制备方法简单，易于实现。
主权项：1.一种Bi系高温超导块体的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、将具有特定Bi、Pb、Sr、Ca、Cu原子比的Bi系前驱体粉末进行冷压，得到直径R1的Bi系冷压块体；所述Bi系前驱体粉末中特定Bi、Pb、Sr、Ca、Cu原子比为1.65~1.95：0.30~0.45：1.85~2.00：1.80~2.20：2.80~3.20；步骤二、将步骤一中得到的Bi系冷压块体进行一次烧结，得到Bi系烧结块体；步骤三、将步骤二中得到的Bi系烧结块体进行中间压制，得到直径R2的Bi系压制块体，且R2＞R1；步骤四、将步骤三中得到的Bi系压制块体进行二次烧结，得到Bi系高温超导块体；所述Bi系高温超导块体为Bi-2223高温超导块体，步骤二中所述一次烧结的烧结气氛中氧分压为0.1%，温度为770℃~800℃，步骤四中所述二次烧结的烧结气氛中氧分压为7.5%，温度为810℃~835℃；或者步骤二中所述一次烧结的烧结气氛中氧分压为7.5%，温度为810℃~835℃，步骤四中所述二次烧结的烧结气氛中氧分压为25%，温度为840℃~870℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北有色金属研究院 一种Bi系高温超导块体的制备方法
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