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申请/专利权人：润马光能科技(金华)有限公司

摘要：本申请公开了一种光伏电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏电池技术领域；光伏电池包括硅片和钝化层，其特征在于，钝化层在硅片第一表面依次设置有第一隧穿氧化层，第一掺杂多晶硅层，第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层；其中，第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层具有相同的掺杂类型，第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度小于第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度；本申请制备得到的钝化层结构，能够显著提高钝化层的钝化效果，使得太阳能电池转换效率更高。

主权项：1.一种光伏电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤101：选取硅片，并对所述硅片进行制绒处理；所述硅片为N型单晶硅片；步骤102：在所述硅片的表面上依次沉积第一隧穿氧化层、第一非晶硅层、第二隧穿氧化层和第二非晶硅层；其中，采用LPCVD沉积所述第一隧穿氧化层和所述第二隧穿氧化层；采用LPCVD沉积所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层；所述第一隧穿氧化层的沉积采用先热氧后水氧的方法制备得到；其中，所述热氧过程中携带氧气的流量为10000sccm～50000sccm；所述水氧过程中携带氧气的流量为100sccm～1000sccm；所述热氧沉积的时间为1min～30min；所述水氧沉积的时间为1min～10min；所述热氧的沉积温度为500～700℃；所述水氧的沉积温度为500~600℃；所述第一非晶硅层的沉积温度为500～600℃；所述第一非晶硅层的气体流量为1000sccm～2000sccm；所述第一非晶硅层的沉积时间为1min～15min；所述第二隧穿氧化层采用水氧方法制备得到；所述水氧中携带氧气流量为100~1000sccm，氮气流量为1000~5000sccm；所述沉积温度为500~600℃，所述水氧沉积的时间为1min～10min；所述第一非晶硅层的沉积温度低于所述第二非晶硅层的沉积温度，所述沉积第一非晶硅层时的气体流量大于沉积所述第二非晶硅层的气体流量；所述第一非晶硅层的沉积时间少于所述第二非晶硅层的沉积时间；所述第二非晶硅层的沉积温度为500～700℃；所述沉积第二非晶硅层的气体流量为1000sccm～2000sccm；所述第二非晶硅层的沉积时间为10min～30min；步骤103：进行高温扩散，形成钝化层，其中，形成的所述钝化层在所述硅片第一表面依次设置有所述第一隧穿氧化层，第一掺杂多晶硅层，所述第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层；所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层具有相同的掺杂类型，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度小于所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度，当所述掺杂类型为N型时，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度为1-2.5×1020cm3，所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度为3-5×1020cm3；当所述掺杂类型为P型时，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度为2-4×1019cm3，所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度为4-5×1019cm3；所述第一掺杂多晶硅层的厚度小于所述第二掺杂多晶硅层的厚度；所述第一掺杂多晶硅层的厚度为10-80nm；所述第二掺杂多晶硅层的厚度为50-150nm；所述第一隧穿氧化层的厚度大于所述第二隧穿氧化层的厚度；所述第一隧穿氧化层的厚度1.5-2nm，所述第二隧穿氧化层的厚度为1-1.5nm。

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