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申请/专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心

摘要：本发明公开了一种表面等离激元超材料热释电高光谱成像系统。该系统包括面阵探测器，数据处理器和显示器。核心部件面阵探测器的像元包括热释电探测层、金属层、介质隔离层、二维材料层、离子凝胶层和电极；金属层设置在热释电探测层上方，介质隔离层设置在金属层上方，二维材料层设置在介质隔离层上方，二维材料层上方涂覆有离子凝胶层，电极的栅极设置在离子凝胶层上方，源极和漏极分别设置在离子凝胶层两侧，源极和漏极均与离子凝胶层接触，源极与第一外接电源的正极连接，栅极与第二外接电源的正极连接，漏极分别与第一外接电源的负极和第二外接电源的负极连接。本发明通过调节第一外接电源的电压和或第二外接电源的电压能够实现高光谱成像。

主权项：1.一种表面等离激元超材料热释电高光谱成像系统，其特征在于，包括：面阵探测器；所述面阵探测器包括呈阵列式排布的多个像元；所述像元包括：热释电探测层、金属层、介质隔离层、二维材料层、离子凝胶层和电极；所述金属层设置在所述热释电探测层上方，所述介质隔离层设置在所述金属层上方，所述二维材料层设置在所述介质隔离层上方，所述二维材料层的上方涂覆有离子凝胶层；所述电极，具体包括：源极、栅极和漏极；所述栅极设置在所述离子凝胶层上方，所述源极和所述漏极分别设置在所述离子凝胶层两侧，并且所述源极和所述漏极均与所述离子凝胶层接触；所述源极与第一外接电源的正极连接，所述栅极与第二外接电源的正极连接，所述漏极分别与所述第一外接电源的负极和所述第二外接电源的负极连接；调节所述第一外接电源的电压和或所述第二外接电源的电压能够改变高光谱成像系统的吸收频率，从而改变高光谱成像系统的成像频率，最终实现高光谱成像；所述二维材料层的材料为石墨烯、二硫化钼、黑磷、氮化硼、二硫化钼或二硫化钨；所述二维材料层，具体包括：周期性排列的多个二维材料分裂环谐振器阵列结构单元；所述二维材料分裂环谐振器阵列结构单元，具体包括：第一端部水平段、第二端部水平段、第三端部水平段、第四端部水平段、第一端部垂直段、第二端部垂直段、第三端部垂直段、第四端部垂直段、第一连接水平段、第二连接水平段和中心垂直段；中心垂直段一端与第一连接水平段连接，中心垂直段另一端与第二连接水平段连接，第一连接水平段与第二连接水平段平行设置，并且第一连接水平段与第二连接水平段的垂直平分线重合，中心垂直段位于垂直平分线上；第一端部垂直段的一端与第一连接水平段的一端连接，第一端部垂直段的另一端与第一端部水平段连接，并且第一端部垂直段位于第一端部水平段的垂直平分线上；第二端部垂直段的一端与第一连接水平段的另一端连接，第二端部垂直段的另一端与第二端部水平段连接，并且第二端部垂直段位于第二端部水平段的垂直平分线上；第一端部水平段与第二端部水平段横向平行；第三端部垂直段的一端与第二连接水平段的一端连接，第三端部垂直段的另一端与第三端部水平段连接，并且第三端部垂直段位于第三端部水平段的垂直平分线上；第一端部水平段与第三端部水平段纵向平行；第四端部垂直段的一端与第二连接水平段的另一端连接，第四端部垂直段的另一端与第四端部水平段连接，并且第四端部垂直段位于第四端部水平段的垂直平分线上；第四端部水平段与第三端部水平段横向平行，第四端部水平段与第二端部水平段纵向平行。

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