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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：本发明公开用于制造单晶硅铸锭的方法，其中硅熔融物中的掺杂剂浓度受到控制。所述掺杂剂浓度的所述控制通过所述单晶硅铸锭的颈部、冠部及主体部分中的位错的减少或消除来增强铸锭质量。
主权项：1.一种通过丘克拉斯基方法制备单晶硅铸锭的方法，所述方法包括：使硅晶种与硅熔融物接触，其中所述硅熔融物容纳在坩埚内且包括熔融硅及n型掺杂剂；从所述硅熔融物抽出所述硅晶种以形成所述单晶硅铸锭的颈部部分，所述颈部部分具有在5毫欧姆-cm与12毫欧姆-cm之间的电阻率；生长邻近所述单晶硅铸锭的所述颈部部分的向外张开晶种-圆锥，所述向外张开晶种-圆锥具有在5毫欧姆-cm与12毫欧姆-cm之间的电阻率；按足以将所述单晶硅铸锭的主体的电阻率降低到小于4毫欧姆-cm的电阻率的浓度，将n型掺杂剂添加到所述熔融物；及生长邻近所述向外张开晶种-圆锥的所述单晶硅铸锭的主体，所述单晶硅铸锭的所述主体具有小于4毫欧姆-cm的电阻率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 控制硅熔融物中的掺杂剂浓度以增强铸锭质量
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