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申请/专利权人：陕西科技大学
摘要：本发明公开了一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器及其制备方法，属于非易失性存储器领域。包括：先在光滑衬底上沉积金属导电薄膜，作为下电极；然后利用物理气相沉积法，在下电极上先生长氧化钨薄膜，然后再生长其他过渡金属氧化物薄膜，制备得到氧化钨异质结，作为存储层；最后在存储层上继续沉积金属导电薄膜，作为上电极；构建得到具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器。其结构和构建工艺简单，成本低且性能高，通过调控两层氧化物薄膜的氧空穴浓度及迁移率等性能，进而控制导电通道形成断裂的动态过程，实现复原过程具有缓变、启动过程具有突变的阻变性能，在数据存储及存内计算领域具有较大市场应用前景。
主权项：1.一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1在光滑衬底上沉积金属导电薄膜，作为下电极；2利用物理气相沉积法，在步骤1得到的下电极上先生长氧化钨薄膜，然后再生长其他过渡金属氧化物薄膜，制备得到氧化钨异质结，作为存储层；3在步骤2得到的存储层上继续沉积金属导电薄膜，作为上电极；构建得到具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 陕西科技大学 一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器及其制备方法
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