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申请/专利权人：湖北芯中达半导体有限公司
摘要：本发明公开一种原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法及氮化铝陶瓷，属于陶瓷流延成型技术领域。该氮化铝陶瓷的制备方法，包括：将氮化铝粉体溶于第一乙醇中，之后继续添加钇盐和第一分散剂，之后调节pH值至6.5‑10.5，之后搅拌反应得到表面包覆有钇盐的氮化铝粉体；将表面包覆有钇盐的氮化铝粉体煅烧得到表面原位包覆有氧化钇的氮化铝粉体；将表面原位包覆有氧化钇的氮化铝粉体、溶剂、第二分散剂、塑性剂和粘结剂混合并进行球磨得到陶瓷浆料；通过流延成形机对所述陶瓷浆料进行流延成形，制得氮化铝陶瓷生坯；将氮化铝陶瓷生坯依次进行脱脂和烧结制得氮化铝陶瓷。本发明提出的制备方法得到的氮化铝陶瓷具有优异的力学和热学性能。
主权项：1.一种原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将氮化铝粉体溶于第一乙醇中，之后继续添加钇盐和第一分散剂，之后调节pH值至6.5-10.5，之后在50-100℃下搅拌反应得到表面包覆有钇盐的氮化铝粉体；将所述表面包覆有钇盐的氮化铝粉体在300-600℃下煅烧得到表面原位包覆有氧化钇的氮化铝粉体；S2、将所述表面原位包覆有氧化钇的氮化铝粉体、溶剂、第二分散剂、塑性剂和粘结剂混合并球磨得到陶瓷浆料；S3、通过流延成形机对所述陶瓷浆料进行流延成形，制得氮化铝陶瓷生坯；S4、将所述氮化铝陶瓷生坯依次进行脱脂和烧结处理制得氮化铝陶瓷；所述脱脂的速率为0.1-0.5℃min，保温温度为280-300℃、350-380℃、400-450℃、580-600℃，保温时间为60-180min；所述烧结的温度为1850-1950℃，烧结的时间120-240min。
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百度查询： 湖北芯中达半导体有限公司 原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法及氮化铝陶瓷
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