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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明公开了一种激光器外延结构及激光器。所述激光器外延结构包空穴加速结构，所述空穴加速结构包括沿所述指定方向层叠设置在第二波导层与所述第二限制层之间的至少一第一空穴加速层和至少一第二空穴加速层，所述第一空穴加速层为第二掺杂类型，所述第一空穴加速层内的受主杂质浓度低于所述第二限制层和所述电子阻挡层中任一者内的受主杂质浓度，所述第一空穴加速层的势垒低于所述第二限制层和所述电子阻挡层中任一者的势垒，所述第二空穴加速层为二维材料。本发明可以加速空穴的迁移速率，推动更多的空穴进入发光层，从而提高辐射复合的几率，进而提升激光器的发光效率、降低激光器的阈值电压、增加激光器的寿命。
主权项：1.一种激光器外延结构，包括沿指定方向依次设置的第一限制层、第一波导层、发光层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层和欧姆接触层，所述第一限制层为第一掺杂类型，所述电子阻挡层、第二限制层和欧姆接触层均为第二掺杂类型，其特征在于：所述外延结构还包括空穴加速结构，所述空穴加速结构包括沿所述指定方向层叠设置在第二波导层与所述第二限制层之间的至少一第一空穴加速层和至少一第二空穴加速层，所述空穴加速结构靠近所述电子阻挡层的表层结构为所述第二空穴加速层，所述第一空穴加速层为第二掺杂类型，所述第一空穴加速层内的受主杂质浓度低于所述第二限制层和所述电子阻挡层中任一者内的受主杂质浓度，并且，所述第一空穴加速层的势垒低于所述第二限制层和所述电子阻挡层中任一者的势垒，所述第一空穴加速层与所述第二限制层之间还形成有极化场，所述极化场的矢量方向为自所述第二限制层指向所述发光层的方向，自所述第二限制层向所述发光层运动的空穴能够被所述极化场加速，所述第二空穴加速层为二维材料，所述二维材料为h-BN。
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权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 激光器外延结构及激光器
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