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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种外延片及其制备方法，属于半导体制造技术领域。外延片的制备方法，使衬底位于反应腔内，制备方法包括：形成第一成核层，第一成核层位于衬底上；第一成核层包括第一成核子层和第二成核子层，第一成核子层位于衬底的一侧，第二成核子层位于第一成核子层背离衬底的一侧；其中，形成第一成核子层的速率为第一速率V1，单位为μmh；形成第二成核子层的速率为第二速率V2，单位为μmh，满足：V1≤V2。本申请通过控制第一速率V1，第二速率V2，满足：V1≤V2，可以降低第一成核层晶体缺陷密度，从而提高外延片的晶体质量和性能。
主权项：1.一种外延片的制备方法，其特征在于，使衬底1位于反应腔内，所述制备方法包括：形成第一成核层2，所述第一成核层2位于所述衬底1上；所述第一成核层2包括第一成核子层21和第二成核子层22，所述第一成核子层21位于所述衬底1的一侧，所述第二成核子层22位于所述第一成核子层21背离所述衬底1的一侧；其中，形成所述第一成核子层21的速率为第一速率V1，单位为μmh；形成所述第二成核子层22的速率为第二速率V2，单位为μmh，满足：V1≤V2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 一种外延片及其制备方法
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