买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本发明公开了一种超结器件的面内电荷平衡状态分布的判断方法，包括：步骤一、得到不同深度的N型柱和P型柱的第一和第二电阻修正系数；步骤二、测量晶圆上不同位置处的超结单元的N型柱和P型柱对应的第一和第二导通电阻；步骤三、计算各位置处的超结单元的电荷平衡状态，包括：将第一导通电阻乘以第一电阻修正系数得到第一修正导通电阻，第二导通电阻乘以第二电阻修正系数得到第二修正导通电阻；将第一和第二修正导通电阻分别取倒数并归一化；将归一化后的第二修正电导除以归一化后的第一修正电导得到超结单元的电荷平衡状态。本发明能够定量分析超结结构的面内电荷匹配情况。

主权项：1.一种超结器件的面内电荷平衡状态分布的判断方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、得到超结结构中不同深度的N型柱的第一电阻修正系数以及不同深度的P型柱的第二电阻修正系数；所述超结结构的P型柱通过填充于沟槽中的P型外延层组成，所述沟槽形成于N型外延层中，所述N型柱由位于所述P型柱之间的所述N型外延层组成；所述N型外延层形成于半导体衬底上，在所述半导体衬底上具有多个沟槽，各所述沟槽采用相同的工艺同时形成，由于工艺偏差使得所述半导体衬底上的各所述沟槽的深度不均匀；由一个所述N型柱和邻近的一个所述P型柱组成一个超结单元，所述超结单元的所述N型柱的深度和所述P型柱的深度都为所述超结单元处的所述沟槽的深度；所述第一电阻修正系数使所述N型柱的第一导通电阻修正为第一修正导通电阻，所述第一修正导通电阻为保持所述N型柱的电荷分布的条件下将所述N型柱的深度调整为第一参考深度时的导通电阻；所述第二电阻修正系数使所述P型柱的第二导通电阻修正为第二修正导通电阻，所述第二修正导通电阻为保持所述P型柱的电荷分布的条件下将所述P型柱的深度调整为所述第一参考深度时的导通电阻；步骤二、测量晶圆上不同位置处的所述超结单元的所述N型柱的第一导通电阻以及所述P型柱的第二导通电阻；步骤三、计算各位置处的所述超结单元的电荷平衡状态并从而形成超结器件的面内电荷平衡状态分布，各位置处的所述超结单元的电荷平衡状态的计算步骤包括：将所述第一导通电阻乘以所述超结单元的深度对应的所述第一电阻修正系数得到所述第一修正导通电阻，将所述第二导通电阻乘以所述超结单元的深度对应的所述第二电阻修正系数得到所述第二修正导通电阻；将所述第一修正导通电阻取倒数形成第一修正电导并进行归一化，将所述第二修正导通电阻取倒数形成第二修正电导并进行归一化；将归一化后的所述第二修正电导除以归一化后的所述第一修正电导得到所述超结单元的电荷平衡状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 超结器件的面内电荷平衡状态分布的判断方法