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申请/专利权人：山东晶镓半导体有限公司

摘要：本发明公开了一种制备氮化镓的氢化物气相外延装置，包括：腔体和内置于腔体的镓舟，所述腔体包括依次连接的进气区、镓反应区、生长区、换样区和装样区，所述镓舟设于镓反应区，所述进气区包括第一进气管和第二进气管，所述第一进气管的末端与镓反应区连通，所述第二进气管的末端与生长区连通，所述生长区包括籽晶托和尾气排放管，所述换样区为温度缓冲区，包括四个区，温度逐级降低，所述换样一区包括换样驱动电机和换样杆，所述装样区包括装样驱动电机和装样杆。本发明通过增加换样区和装样区，通过换样杆和装样杆运送籽晶，不用降温就可装样取样进行下一炉生长，极大的提高了氮化镓的生产效率。

主权项：1.一种制备氮化镓的氢化物气相外延装置，包括：腔体和设于所述腔体内部的镓舟（21），其特征在于，所述腔体包括依次连接的进气区（1）、镓反应区（2）、生长区（3）、换样区（4）和装样区（6），所述镓舟（21）设于镓反应区（2）内，所述镓反应区（2）的温度为800-900℃，所述生长区（3）的温度为1000-1100℃；所述进气区（1）设有第一进气管（11）和第二进气管（12），所述第一进气管（11）的末端与镓反应区（2）连通，所述第二进气管（12）的末端与生长区（3）连通，所述第一进气管（11）内的气体与所述镓舟（21）内的金属镓（22）反应生成中间产物，所述中间产物通过中间管路与生长区（3）连通；所述生长区（3）设有籽晶托（32）和尾气排放管（35），所述第二进气管（12）中的气体和所述中间产物在所述籽晶托（32）处反应生成氮化镓，所述尾气排放管（35）设于生长区（3）的顶部；所述换样区（4）设有若干个区域，各区域温度逐级降低，对取出的氮化镓进行温度缓冲，所述换样区（4）包括依次连接的换样一区（43）、换样二区（44）、换样三区（45）和换样四区（46），所述换样一区（43）的温度为800℃，换样二区（44）的温度为600℃，换样三区（45）的温度为400℃，换样四区（46）的温度为200℃，所述换样区（4）设置有换样动力源和换样杆（42），所述换样杆（42）处于第一工作位，换样杆（42）的末端水平伸入生长区（3）与籽晶托（32）连接，所述换样区（4）处于真空或者填充有惰性气体；所述装样区（6）设置有装样动力源和装样杆（62），所述装样杆（62）处于第一工作位，装样杆（62）的末端水平伸入换样区（4）与籽晶托（32）连接。

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