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申请/专利权人：丰联科光电(洛阳)股份有限公司

摘要：本发明涉及溅射靶材技术领域，且公开了一种氧化钼靶材及制备方法，氧化钼靶材的制备方法包括以下步骤：将钼酸铵在还原气氛下进行多温区还原处理，得到高纯氧化钼粉体；将高纯氧化钼粉体进行过筛处理并压制成型，得到压制坯；将压制坯进行热等静压烧结，得到氧化钼靶材烧结坯；将烧结坯进行机械加工处理，得到所需氧化钼靶材；本发明的氧化钼靶材具有一定导电率的氧化钼溅射靶材，能够适用于磁控溅射直流电源设备需求，更有利于满足磁控溅射制备氧化钼膜层的实际应用。

主权项：1.一种氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，所述氧化钼靶材的制备方法包括以下步骤：（1）将40-60重量份的钼酸铵在还原气氛下进行多温区还原处理，得到高纯氧化钼粉体；（2）将40-50重量份的高纯氧化钼粉体进行过筛处理并压制成型，得到压制坯；（3）将30-50重量份的压制坯进行热等静压烧结，得到氧化钼靶材烧结坯；（4）将20-40重量份的烧结坯进行机械加工处理，得到所需氧化钼靶材；所述步骤（1）中钼酸铵为二钼酸铵、四钼酸铵、七钼酸铵、八钼酸铵、十二钼酸铵中的一种或几种的混合物；所述步骤（1）中还原气氛是氢气与氮气的混合气体，其中氢气含量为70-90mol%，氮气含量为10-30mol%；所述步骤（1）中多温区还原处理工艺为：将还原炉从低温到高温依次设置3个温区，钼酸铵粉体依次经过各温区并保温一定时间，整个过程还原气氛的流量为15-25m3h，最终得到所需氧化钼粉体；3个温区温度分别为低温区250-350℃，中温区350-500℃，高温区500-650℃；各温区保温时间分别为：低温区保温30-80min，中温区保温60-120min，高温区保温60-180min；所述步骤（2）中压制成型是将氧化钼粉体装入橡胶模具，并用钢制卡具封装固定放入冷等静压机进行压制成型；所述冷等静压成型的工艺为：先以3-5Mpamin的升压速率升至100-120Mpa，保压2-5min，再以5-8Mpamin的升压速率升压至压力200-240Mpa，保压时间10-20min；所述步骤（3）中热等静压烧结是将步骤（2）所得到的压制坯放入包套内进行除气处理，然后进行真空密封，最后进行热等静压烧结；烧结温度为550-750℃，压力100-200Mpa，保压时间2-4h。

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