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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明涉及一种三维集成结构及其制作方法。所述制作方法中，对应于堆叠晶圆的外围区进行第一切边工艺，形成邻接且包围有效器件区的斜切面，其中，从所述有效器件区的边缘向外，所述堆叠晶圆的厚度经所述斜切面逐渐降低，使得后续在涂敷光阻层时，所述有效器件区和斜切面的连接区域容易被所述光阻层覆盖，避免形成无光阻区而影响后续工艺，所述制作方法还对应于所述外围区的外边缘进行第二切边工艺，以形成邻接且包围所述斜切面的夹持面，不需要将夹具夹在堆叠晶圆的顶表面，可以避免夹具对堆叠晶圆顶表面造成损伤而对有效器件区内的结构和有效器件区的面积造成不良影响，有利于满足工艺要求。所述三维集成结构可采用上述制作方法。
主权项：1.一种三维集成结构的制作方法，其特征在于，包括：获得一堆叠晶圆，所述堆叠晶圆的表面包括有效器件区和位于所述有效器件区外围的外围区；对应于所述外围区进行第一切边工艺，形成邻接且包围所述有效器件区的斜切面；以及对应于所述外围区的外边缘进行第二切边工艺，形成邻接且包围所述斜切面的夹持面，其中，从所述有效器件区的边缘向外，所述堆叠晶圆的厚度经所述斜切面逐渐降低，并在所述夹持面进一步降低。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 三维集成结构及其制作方法
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