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三维存储器及其制造方法 

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申请/专利权人:上海积塔半导体有限公司

摘要:本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤:形成基底,基底包括衬底、位于衬底上的第一介质层以及沿第一方向贯穿第一介质层的第一接触结构;沉积第一导电材料于第一介质层上,形成与第一接触结构电连接的导电部;沉积第二导电材料至基底上,形成覆盖于导电部的表面的支撑部;刻蚀支撑部,形成沿第一方向贯穿支撑部且暴露导电部的沟槽;形成连续覆盖支撑部的表面和沟槽的内壁的存储层;沉积金属材料或者多晶硅材料于基底上,形成覆盖存储层的上电极。本发明无需进行用于形成存储孔的深孔刻蚀工艺,且能够使得存储结构的灵敏度、稳定性以及可靠性提升。

主权项:1.一种三维存储器的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:形成基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底上的第一介质层以及沿第一方向贯穿所述第一介质层的第一接触结构,所述衬底包括相对分布的顶面和底面,所述第一方向与所述衬底的顶面垂直相交;沉积第一导电材料于所述第一介质层上,形成与所述第一接触结构电连接的导电部;沉积第二导电材料至所述基底上,形成覆盖于所述导电部的表面的支撑部;刻蚀所述支撑部,形成沿所述第一方向贯穿所述支撑部且暴露所述导电部的沟槽,并以所述导电部和所述支撑部共同作为下电极;形成连续覆盖所述支撑部的表面和所述沟槽的内壁的存储层;沉积金属材料或者多晶硅材料于所述基底上,形成覆盖所述存储层的上电极,所述下电极、所述存储层和所述上电极共同构成存储结构。

全文数据:

权利要求:

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