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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：提供了三维3DNAND存储器器件和方法。在一个方面中，3DNAND存储器器件包括衬底、层堆叠体、存储器单元、半导体层、接触结构和栅线缝隙结构。衬底包括掺杂区。层堆叠体形成在衬底之上。存储器单元穿过层堆叠体形成在衬底之上。半导体层形成在掺杂区和延伸穿过层堆叠体的沟道层的侧面部分上。接触结构电接触掺杂区。在栅线缝隙结构中填充电介质材料。在栅线缝隙结构中通过电介质材料形成气隙。
主权项：1.一种三维3D存储器器件，包括：衬底，所述衬底包括掺杂区；层堆叠体，所述层堆叠体形成在所述衬底之上；多个存储器单元，所述多个存储器单元穿过所述层堆叠体形成在所述衬底之上；半导体层，所述半导体层形成在所述掺杂区和延伸穿过所述层堆叠体的沟道层的侧面部分上；接触结构，所述接触结构电接触所述掺杂区；多个栅线缝隙结构，所述多个栅线缝隙结构穿过所述层堆叠体形成，以将所述多个存储器单元分成多个块；以及电介质材料，所述电介质材料填充在所述多个栅线缝隙结构中的每一个中，其中：一个或多个气隙通过所述电介质材料形成在所述多个栅线缝隙结构中的一个或多个栅线缝隙结构中，并且所述一个或多个气隙的位置、尺寸、数量和形状是根据所述三维3D存储器器件的晶片弯曲来确定的。
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权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器器件及其制造方法
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