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申请/专利权人：通威微电子有限公司

摘要：本发明公开了一种可主动维持温度梯度的碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长设备领域。该可主动维持温度梯度的碳化硅晶体生长装置包括长晶炉及容置于长晶炉内部的坩埚与加热器，加热器环设于坩埚的周侧，用于形成竖直向上递减的温度梯度；长晶炉的炉盖设置有第一风道，第一风道具有开设于炉盖内表面的第一进气口与第一出气口，在水平方向上，第一进气口处于加热器外侧，第一出气口处于加热器与坩埚之间；第一风道内设置有第一风机，第一风机用于将加热器外侧的炉内气体向上吸入第一进气口后，再由第一出气口向下吹入加热器与坩埚之间的间隙内。本发明提供的可主动维持温度梯度的碳化硅晶体生长装置能够有效维持温度梯度，保证碳化硅晶体持续正常生长。

主权项：1.一种可主动维持温度梯度的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括长晶炉（110）及容置于所述长晶炉（110）内部的坩埚（120）与加热器（130），所述加热器（130）环设于所述坩埚（120）的周侧，用于形成竖直向上递减的温度梯度；所述长晶炉（110）的炉盖（111）设置有第一风道（112），所述第一风道（112）具有开设于所述炉盖（111）内表面的第一进气口（1121）与第一出气口（1122），在水平方向上，所述第一进气口（1121）处于所述加热器（130）外侧，所述第一出气口（1122）处于所述加热器（130）与所述坩埚（120）之间；所述第一风道（112）内设置有第一风机（1123），所述第一风机（1123）用于将所述加热器（130）外侧的炉内气体向上吸入所述第一进气口（1121）后，再由所述第一出气口（1122）向下吹入所述加热器（130）与所述坩埚（120）之间的间隙内；所述加热器（130）与所述坩埚（120）之间形成有在竖直方向上延伸的散热间隙（132），所述加热器（130）与所述长晶炉（110）的炉侧壁（114）之间形成有在竖直方向上延伸的回流间隙（133）；所述加热器（130）与所述长晶炉（110）的炉底壁（113）之间形成有过渡间隙（131），所述第一风道（112）与所述散热间隙（132）、所述过渡间隙（131）及所述回流间隙（133）依次首尾连通，形成供炉内气体循环流动的循环流路；或，所述长晶炉（110）的炉底壁（113）设置有第二风道（115），所述第一风道（112）与所述散热间隙（132）、所述第二风道（115）及所述回流间隙（133）依次首尾连通，形成供炉内气体循环流动的循环流路。

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