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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本发明公开一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺及结构，属于微电子工艺制造领域。提供衬底，并在其表面依次制作中间金属布线、反熔丝底层金属和底层金属阻挡层；进行MTM反熔丝ONO叠层介质的淀积；进行顶层金属阻挡层的淀积；对ONO叠层介质和顶层金属阻挡层进行光刻和腐蚀，形成岛状反熔丝结构；淀积金属层间介质IMD，所述金属层间介质IMD包覆所述ONO叠层介质和所述顶层金属阻挡层；进行反熔丝通孔的光刻、通孔Via的淀积并进行CMP平坦化；淀积反熔丝顶层金属，并光刻、腐蚀，形成反熔丝上电极。本发明采用新型的MTM反熔丝介质工艺，显著降低反熔丝单元编程电流，减小反熔丝存储单元Bitcell的版图面积，提升反熔丝存储单元的集成度10倍以上。
主权项：1.一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺，其特征在于，包括：提供衬底，并在其表面依次制作MOS器件层次及中间金属布线、反熔丝底层金属和底层金属阻挡层；进行MTM反熔丝ONO叠层介质的淀积；进行顶层金属阻挡层的淀积；对ONO叠层介质和顶层金属阻挡层进行光刻和腐蚀，形成岛状反熔丝结构并对反熔丝底层金属进行光刻和腐蚀，形成反熔丝下电极；淀积金属层间介质IMD，所述金属层间介质IMD包覆所述ONO叠层介质和所述顶层金属阻挡层；进行反熔丝通孔的光刻、通孔Via的淀积并进行CMP平坦化；淀积反熔丝顶层金属，并光刻、腐蚀，形成反熔丝上电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺及结构
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