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一种用于CMP研磨后清洗硅溶胶的清洗剂以及清洗方法 

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申请/专利权人:东莞市新美达材料技术有限公司

摘要:本发明公开了一种用于CMP研磨后清洗硅溶胶的清洗剂以及清洗方法。所述用于CMP研磨后清洗硅溶胶的清洗剂,以质量百分数计,包括10‑15%的硅烷类表面活性剂、10‑15%的水溶性硅油、2‑5%的阳离子表面活性剂、2‑5%的水溶性渗透助剂以及余量的水。所述清洗剂的清洗温度较低、清洗时间短、能源消耗低并且适用于易腐蚀金属材料的表面处理、对人体无害。

主权项:1.一种用于CMP研磨后清洗硅溶胶的清洗剂,其特征在于,以质量百分数计,包括10-15%的硅烷类表面活性剂、10-15%的水溶性硅油、2-5%的阳离子表面活性剂、2-5%的水溶性渗透助剂以及余量的水。

全文数据:

权利要求:

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