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一种具有渐变体系的高阻隔性涂层及其制备方法 

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申请/专利权人:佛山市屹博电子科技有限公司

摘要:本发明公开了一种具有渐变体系的高阻隔性涂层及其制备方法,属于等离子体增强化学气相沉积技术领域,采用PECVD,在基材上沉积有机硅层和无机硅层,并单向逐渐改变氧气流量地沉积有机硅层与无机硅层之间的渐变层;沉积有机硅层时,前驱体、惰性气体的流量比为1:1~3,沉积无机硅层时,前驱体、惰性气体、氧气的流量比为1:1~3:3~9。本发明通过调整前驱体和气体的种类及配比创造渐变体系,将无机硅薄膜良好的耐腐蚀性能与有机硅薄膜良好延展性、疏水性联系起来。有机硅层和无机硅层之间无明确界面,层与层之间的连接紧密,减少了膜层沉积过程中产生的缺陷,实现了有机硅、无机硅膜之间的平滑过渡,增强了膜层的阻隔性能。

主权项:1.一种具有渐变体系的高阻隔性涂层制备方法,采用等离子体增强化学气相沉积,其特征在于,在基材上沉积有机硅层和无机硅层,并单向逐渐改变氧气流量地沉积所述有机硅层与所述无机硅层之间的渐变层;沉积所述有机硅层时,前驱体、惰性气体的流量比为1:1~3,沉积所述无机硅层时,所述前驱体、惰性气体、氧气的流量比为1:1~3:3~9。

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权利要求:

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