龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
摘要：本发明提供一种纳米圆台制备方法，包括如下步骤：步骤一：构建涂覆光刻胶的晶圆裸片FEM模型，根据需要的圆台尺寸，建立晶圆裸片曝光能量值与曝光焦距矩阵，使用所述晶圆裸片曝光能量值与曝光焦距矩阵参数进行曝光、显影得到圆台结构，测量圆台结构关键尺寸并与所述需要的所述圆台结构关键尺寸比较，得到最优曝光能量值与最优曝光焦距矩阵；步骤二：按照最优曝光能量值的40％以及曝光焦距为0um在涂覆光刻胶的晶圆上进行一次曝光；并构建二次曝光FEM模型，二次曝光能量基础值为最优曝光能量值的70％，二次曝光基础焦距基础值为所述最优曝光焦距，建立二次曝光能量值与二次曝光焦距矩阵，使用步骤一中方法，得到最优二次曝光能量值以及最优二次曝光焦距。
主权项：1.一种纳米圆台制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：构建晶圆裸片FEM模型，根据需要的圆台尺寸，设定曝光能量基础值以及曝光焦距基础值，建立晶圆裸片曝光能量值与曝光焦距矩阵，使用所述晶圆裸片曝光能量值与曝光焦距矩阵中的参数进行曝光、显影得到圆台结构，测量圆台结构关键尺寸并与所述需要的所述圆台结构关键尺寸比较，得到最优曝光能量值与最优曝光焦距；步骤二：按照步骤一得到的最优曝光能量值的40％以及曝光焦距为0um在涂覆光刻胶的晶圆上进行一次曝光；并构建二次曝光FEM模型，二次曝光能量基础值为步骤一得到的最优曝光能量值的70％，二次曝光基础焦距基础值为步骤一得到的所述最优曝光焦距，建立二次曝光能量值与二次曝光焦距矩阵，使用所述二次曝光能量值与二次曝光焦距矩阵中的参数在一次曝光的晶圆上进行二次曝光、显影得到圆台结构，测量圆台结构关键尺寸并与需要的圆台关键尺寸比较，得到最优二次曝光能量值以及最优二次曝光焦距；步骤三：使用步骤二得出的一次曝光参数以及二次曝光参数在涂覆光刻胶的晶圆上进行曝光、显影后得到需要的所述纳米圆台结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新微技术研发中心有限公司 一种纳米圆台制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号