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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要：本发明提供了一种低温多晶硅显示面板及其制备方法、显示装置，包括对基板上形成的非晶硅进行激光退火，形成具有晶界凸起的多晶硅层，形成覆盖多晶硅层的第一栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层上形成图案化的光刻胶，露出待形成沟道部分之外的第一栅极绝缘层；刻蚀掉露出的第一栅极绝缘层和其下方的多晶硅层，从而形成沟道区和沟道区上方的第一栅极绝缘层；形成第二栅极绝缘层，覆盖沟道区和沟道区上方的第一栅极绝缘层；形成栅极和源漏电极。这样，则可以避免多晶硅层与后续形成的栅极之间短路，且沟道区的漏电流不会受到影响，大大减小了点线类不良的现象，进而提高了显示面板的良率。
主权项：1.一种低温多晶硅显示面板的制备方法，其特征在于，包括：对基板上形成的非晶硅进行激光退火，形成多晶硅层，其中，所述多晶硅层形成有晶界凸起；形成第一栅极绝缘层，覆盖所述多晶硅层；在所述第一栅极绝缘层上形成图案化的光刻胶，露出待形成沟道部分之外的第一栅极绝缘层；刻蚀掉露出的第一栅极绝缘层和其下方的多晶硅层，从而形成沟道区和所述沟道区上方的第一栅极绝缘层；形成第二栅极绝缘层，覆盖所述沟道区和所述沟道区上方的第一栅极绝缘层；形成栅极和源漏电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 低温多晶硅显示面板及其制备方法、显示装置
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