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申请/专利权人：天津普智芯网络测控技术有限公司
摘要：本发明涉及芯片测试技术领域，公开了不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法及系统，将待测试的芯片放置在检测板上，芯片的各个底层锡球与检测板上的测试座电性连接，在检测板上放置转接板，所述转接板从上方连接芯片的各个顶层锡球，使芯片的顶层锡球以两个为一组分别短接，短接后以组为单位分别进行通电测试，判断芯片的管脚的通断状态；本方法利用转接板将顶层锡球短接，快速进行通断测试，简化了测试过程，操作简单，适用于量产的不完全pop封装芯片，在保持测试的有效性和准确性的同时，提高了检测效率和便利性。
主权项：1.不完全pop封装芯片桥接路径通断量产测试方法，其特征在于，将待测试的芯片放置在检测板上，芯片的各个底层锡球与检测板上的测试座电性连接，在检测板上放置转接板，所述转接板从上方连接芯片的各个顶层锡球，使芯片的顶层锡球以两个为一组分别短接，短接后以组为单位分别进行通电测试，判断芯片的管脚的通断状态。
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