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申请/专利权人：英特尔公司

摘要：本发明涉及单线通信板到板互连。对改进设备到设备连接速度的技术问题的解决方案包括单线通信（SWC）的使用。不同于传输线路中所要求的两条差分线，SWC包括在不要求返回线的情况下使用单线以用于数据的传输方法。SWC的使用具有使得能够实现日益高带宽的低损耗信道的潜力。带宽和频率方面的SWC改进使得能够实现通信所必需的功率的显著降低。SWC为每一个信道提供速度方面的显著改进，因此较少的线可以用于每一个设备到设备连接。SWC还提供在每一条线之上传送增加的带宽和增加的功率的能力，这进一步减少提供功率和通信所需要的线数目。

主权项：1.一种通信装置，包括：接触引脚；导电耦合到接触引脚的单线传输线路；以及在接触引脚和单线传输线路周围形成的包括电容二次成型材料的第一二次成型体，第一二次成型体被结构化成提供通信喇叭发射器内的可移除的摩擦配合，所述通信喇叭发射器包括要与电容二次成型材料电容耦合的电容发射器材料，单线传输线路从接触引脚和从通信喇叭发射器接收信号并且沿单线传输线路的外表面作为横向电磁波传播所述信号。

全文数据：单线通信板到板互连技术领域[0001]本文所描述的实施例一般地涉及板到板互连。背景技术[0002]存在对于设备和设备线缆上的曰益更高的输入输出（1①带宽的需求。例如，USB3.1包括高达lOGbps的数据吞吐量速度，并且将来的设备线缆将速度要求增加至烈此阳或更高。然而，比如USB3.1那样的现有设备线缆包括差分线缆对和差分阻抗，其二者包括常规的传输线路，该常规的传输线路要求显著的功率和电压摆动例如最小和最大电压值），使得接收设备能够可靠地操作。另外，当设备线缆的长度增加时，传输损耗增加并且数据吞吐量减小。在不例中，对于USB3_1，该损耗可能大大超出无法维持USB3.丨吞吐量的八至十英寸的线缆长度。在信号离开计算机外壳之前，八英寸线缆距离可能是必需的:可能需要将信号从中央处理单元CPU取出到印刷电路板PCB的边缘，然后到计算机机箱，然后到线缆连接器，这可能满足或超出十英寸线缆最大值。解决该线缆要求的现有解决方案可以包括使用转接驱动器（re-driver或重定时器，但是这些解决方案是高耗电的（p〇wer—hungry，并且要求PCB板空间，这抵消了高速线路的优点。附图说明[0003]图1是依照本发明的至少一个实施例的对比传输线路TL损耗与SffC损耗的图表。[0004]图2是依照本发明的至少一个实施例的SWC线路的图。[0005]图3是依照本发明的至少一个实施例的第一SWC接触件的图。[0006]图4是依照本发明的至少一个实施例的第二SWC接触件的图。[0007]图5是依照本发明的至少一个实施例的SWC存储器模块的图。[0008]图6描绘了依照本发明的至少一个实施例的衰减图表。[0009]图7描绘了依照本发明的至少一个实施例的串扰图表。[0010]图8描绘了依照本发明的至少一个实施例的传输线路串扰图表。[0011]图9描绘了依照本发明的至少一个实施例的SWC串扰图表。[0012]图10描，了依照本发明的至少一个实施例的非发射式STC;线路图表。[0013]图11图示了依照本发明的至少一个实施例的系统级图。具体实施方式[0014]对改进设备到设备连接速度的技术问题的解决方案包括如本文所描述的单线通信SWC连接的使用。不同于典型传输线路中所要求的两条差分线，swc连接利用在不要求返回线例如差分线、地线的情况下使用单线以用于数据的传输方法。本文所描述的Sffc连接的使用具有使得能够实现日益高带宽（诸如大于40GbpS的带宽）的低损耗信道的潜力。SffC连接还提供穿过2〇GHz和更大的大体平坦的频率响应，如以下更加全面地讨论的。。[0015]如本文所描述的swc连接的使用提供各种附加的优点。swc连接提供带宽和°频率方面的改进，这使得能够实现通信所必需的显著功率降低。例如，生成期望的电磁EM场以驱动信号所必需的功率比针对典型传输线路所必需的功率低例如低一个量级）。较低功率的使用使得能够实现10电压和电流水平方面中的降低，这简化10设计并且改进与深硅1〇水平的兼容性。SWC连接提供相对于PCB上所实现的常规传输线路的显著降低的频率相关损耗例如5-10dB降低），这进一步简化10设计。SffC连接提供针对每一个信道的速度方面的显著改进例如每通道lane速度），因此较少的线可以用于每一个设备到设备连接。SWC连接还提供在每一条线之上传送增加的带宽和增加的功率的能力，这进一步减少提供功率和通信所需要的线数目。由于SWC连接提供在较长连接之上以更高带宽进行通信的能力，因此新的设备设计将具有所使用的尺寸和连接长度方面的更多灵活性。此外，SWC连接提供在不要求电学-光学10转换的情况下进行通信的能力。例如，光学通信要求从电学信号向光学信号的转换、光学信号的传输，以及光学信号转换回电学信号。SWC连接在不要求电学附加10电学-光学转换硬件的情况下并且在不引入电学-光学10转换错误的情况下以增加的带宽传送电学信号。[0016]本文所描述的SWC连接可以用于改进设备到设备通信，或者可以用于改进各种现有的实现方式或协议。当与体域联网一起使用时，这些SWC连接使得能够实现新的使用模型，并且提供通过身体的更高带宽信道。当与近场通信NFC—起使用时，SWC可以用于使得能够实现更高带宽协议不可知的无线NFC改进，其中基于SWC的NFC可以改进常规的NFC带宽两个数量级（例如带宽方面的l〇〇x改进）。[0017]以下描述和附图充分说明具体实施例以使得本领域技术人员能够理解该具体实施例。其它实施例可以合并结构、逻辑、电学、过程和其它改变。各种实施例的部分和特征可以被包括在其它实施例的那些中，或者被其取代。在权利要求中阐述的实施例涵盖那些权利要求的所有可得到的等同方案。[0018]图1是依照本发明的至少一个实施例的对比传输线路TL损耗与SWC损耗100的图表。图表100示出作为以GHz计的增加的频率的函数的以分贝（dB计的TL损耗105和SWC损耗11CLTL损耗105展现当频率增加时增加的损耗，并且提供高频应用中的有限使用。由于TL通信提供有限的带宽并且要求较低的频率，因此TL通信使用多个通信通道例如多条线）。此夕卜，TL通信使用差分通信以降低串扰，因此每一个通信通道要求两条线。对于要求较高带宽因此要求许多通信通道的TL通信系统而言，并且增加的通信信号驱动器功率是必需的以补偿增加的TL损耗1〇5。例如，使用TL通信的USB3.1链路可以包括要求TL通信少于十英寸的实际限制。[0019]与TL损耗105相比，SWC损耗110在增加的高频率处提供较低损耗和较少可变性。不同于TL通信中所使用的差分信号，SWC在单线之上提供增加的带宽。另外，SWC可以使用单线传送数据和功率二者。然而，SWC要求特定的电学和机械配置以提供实际的实现方式，诸如图2中所示的实现方式。[0020]图2是依照本发明的至少一个实施例的SWC线路200的图。SWC线路200包括第一同轴线缆205、第一喇叭例如发射器、第一中空圆锥21〇、信号导体线路215、第二喇叭例如第二中空圆锥220和第二同轴线缆225。在实施例中，第一同轴线缆205连接到第一存储器模块230,并且第二同轴线缆225连接到第二存储器模块235以提供第一存储器模块230与第二存储器模块235之间的改进的通信。第一喇叭210和第二喇叭220可以被成形为如同正方棱锥，可以在形状方面是圆锥形的，或者可以具有另一波束成型结构。不同于在线内部的TL信号，SWC线路200使用在信号导体线路215的外表面上传播的横向电磁TEM波传输通信信号。在实施例中，信号导体线路215涂敷有电介质材料，其中电介质材料帮助沿信号导体线路215引导TEM波。为了改进或最大化信号导体线路215的外表面上的TEM波传播的效率，第一喇叭210和第二喇叭220可以被选择为在结构方面大体对称。[0021]为了改进传播，信号导体线路215可以被终止成看起来如无限传输线路，诸如使用差分线路、单数终端temiination、功率终端、AC终端或其它终端。终端可以从5〇欧姆调谐到300欧姆，并且可以基于接口、基于制造容差、基于信号载波频率、基于使用磁场或电场的特定终端逻辑或基于其它调谐因素进行调谐。可以基于通信中所使用的设备类型来选择终端。例如，SWC线路200配置可以使用在板到板结构中，其中你想要信号留在板内或在两个PCB衬底例如FR4衬底之间行进，其中信号导体线路215保持埋覆在特定屏蔽结构内的板内。可能需要附加的结构以提供替换的屏蔽或阻抗，以用于并未安装在公共pCB上的两个集成电路（1C之间的实现方式。例如，球栅阵列BGA连接可以包括柱状结构，该柱状结构包括以竖直配置的至少一个第一喇叭215。[0022]可以基于电子设备PCB配置而实现第一喇叭210、第二喇叭220和信号导体线路215的各种组合，以使得能够实现信号导体线路215的外表面上的传播。例如，当在PCB的边缘处实现第一喇叭210时可以修改该配置。当在PCB的边缘上实现第一喇叭210时，信号导体线路215可以通过连接器连接到第一喇叭210,从而允许附接或从第一喇叭210拆卸信号导体线路215。对于PCB实现方式，第一喇机210的外侧伸展faring可以在直径方面为1圓。然而，外部连接器的使用要求特定配置以将线缆保留在第一喇叭210内并且避免附近SWC线路之中的串扰。类似地，紧密临近的任何平行SWC线路可能导致显著量的电磁耦合，其中信号导体线路215离开第一喇机210，从而导致第一喇P八210的出口处的串扰的增加的可能性。横向电磁TEM通信模式的親合可以用于增加第一线缆205与第二线缆225之间的稱合效率，然而，增加的耦合也增加串扰。在实施例中，使用用于信号导体线路215的特定涂层或具有所选电容的接地接触件来实现该串扰缓解，诸如以下的图3-4中所示出和描述的。[0023]图3是依照本发明的至少一个实施例的第一SWC接触件300的图。SWC接触件300内的结构和材料可以被选择成降低或消除附近SWC线路之间或之中的串扰。SWC接触件300包括接触引脚305，诸如固定接触件或弹簧加载的pogo引脚接触件。二次成型体overmolding310围绕接触引脚3〇5,其中二次成型体310可以由电介质材料或铁电材料例如钛酸钡形成，电介质材料或铁电材料提供二次成型体310与对应的喇叭发射器插座未示出）之间的强电容耦合。二次成型体310和接触引脚305的形状允许它们适合于对应的喇叭发射器插座内。在实施例中，二次成型体310包括结构化成匹配喇叭发射器插座的内表面的外表面，其中当被插入在喇叭发射器插座内时，二次成型体310产生可移除的摩擦配合。在各种实施例中，将二次成型体310形成为如图3中所示的部分正方棱锥即截头锥体）、形成为另一部分或完整的锥形实心体例如圆锥、角锥），或将提供对应的喇叭发射器内的紧密但可移除的摩擦配合的另一结构。[0024]SWC接触件300包括导电耦合到接触引脚305的导电线320。SWC接触件300还提供沿导电线320的大功率输送能力。许多通信模态要求两个导体，诸如信号线路和接地线路例如接地回路、同轴接地编织线或差分信令内的差分导体对的使用。与这些双导体解决方案相比，SWC接触件3〇0不具有对于第二导体的要求。如以上所描述的，SWC接触件300通过使用信号导体线路的外表面上传播的TEM波传输通信信号来使用集肤效应Skineffect进行操作例如操作为集肤载体）。由于信号导体线路的外表面用于传送TEM波，因此信号导体线路的内部部分可用于承载电流。由于信号导体线路的内部部分上的直流电不干扰传播TEM波，因此电流可以仅受信号导体线路的安培容量（例如导体材料、截面尺寸限制。在示例中，SWC接触件300可以用于以lTbps的速度通信而同时传送数十瓦或数百安。[0025]SWC接触件300可以是设备中所实现的许多这样的SWC接触件中的一个。包括喇叭发射器的任何SWC接触件300可以辐射电磁干扰EMI，该电磁干扰干扰附近的SWC接触件或其它电子组件。多个SffC接触件之间或之中的EMI可以称为串扰。EMI的幅度在其中SWC接触件离开喇叭发射器的位置附近可以最强，并且EMI幅度可以随距喇叭发射器的增加的距离而指数减小。屏障315用于降低或消除该串扰，其中当导电线320离开二次成型体310时，屏障315覆盖导电线320的部分。导电线320可以包括围绕导电线的导电部分的电学绝缘层未示出）。在操作中，屏障315包含导电线320的表面上的波，该波降低或消除来自表面波的辐射EMI。由于EMI幅度随距离指数减小，因此屏障315的长度和组成可以被选择成提供抵挡辐射EMI的充足保护。在实施例中，屏障315可以由各种EMI降低材料形成，诸如粉末状铁素体烧结的包封。附加的结构可以用于降低EMI，诸如图4中所示的结构。[0026]图4是依照本发明的至少一个实施例的第二SWC接触件400的图。类似于第一SWC接触件3〇0,第二SWC接触件400包括由喇叭二次成型体410围绕的接触引脚405,其中喇叭二次成型体410可以成形为匹配喇叭发射器插座的内部结构。导电线425导电耦合到接触引脚405,并且导电屏障420覆盖导电线425的部分以降低EMI。为了进一步降低EMI，可以在喇叭二次成型体410与导体屏障420之间设置二次成型屏障425。二次成型屏障425可以由各种EMI降低材料形成，诸如粉末状铁素体。在实施例中，二次成型屏障425和导体屏障420被形成为单个组件。二次成型屏障425的尺寸和形状可以被选择成提供附接点而同时提供EMI降低。多个第二SWC接触件400可以布置在与彼此紧密邻近，并且可以形成电子设备内的接触件阵列。在示例中，多个第二SWC接触件400可以使用在图5中所示的小轮廓双列直插存储器模块SO-DIMM中。[0027]图5是依照本发明的至少一个实施例的SWC存储器模块500的图。在实施例中，SWC存储器模块500包括可移除的SO-DIMM卡505,可移除的SO-DIMM卡505可以被插入到插槽510中。插槽510包括导电柱515的阵列，其可以被焊接到PCB或其它电子结构以提供机械和电学连接。导电柱5丨5中的每一个通过条520并且通过喇叭配对部分525连接到SWC接触引脚530。条f520可以提供安装例如用于焊接引脚515的机械应变释放和电磁屏蔽。特别地，条520提供机械刚性和电感表面以降低或消除串扰。在实施例中，条520由以期望的形式模制和烧结的粉末状铁素体形成。条520随后可以在金属化塑料或提供期望的电学和机械性质的另一材料中二次成型。在实施例中，条520随后可以在插槽510内二次成型。[0028]喇叭配对部分525和SWC接触引脚530成行形成以便为每一个SO-DIMM喇叭发射器535提供一个接触件。当SO-DIMM卡505被完全插入到插槽510中时，每一个喇叭配对部分525将被完全插入到每一个对应的喇叭发射器535中。多行喇叭配对部分525、SWC接触引脚530和喇叭发射器535可以形成2-D阵列，尽管可以使用其它接触引脚配置。喇叭发射器535的布置可以用于允许与喇叭配对部分525的特定布置的连接以降低或消除S0-DIMM卡505与插槽510之间的失配，诸如数据速度、信道带宽、SO-DIMM卡类型方面的失配或其它失配。类似地，单独的喇叭发射器535和喇叭配对部分525可以“被键控keyed”以允许特定配置中的配对，诸如使用插片（tab和槽键控布置。SWC接触引脚530可以传送不同信号，其中每一个信号可以具有独特的带宽分配、独特的频率或其它预定特性。类似地，单独的喇叭发射器535可以使用各种喇叭结构以提供特定特性，诸如提供键控以指定不同行或通道以提供不同的电压或电压摆动。例如，喇叭发射器535可以包括几个锥形喇叭发射器结构、几个角锥形喇叭发射器结构、几个抛物线形喇叭发射器结构和其它结构。由于SWC技术通常包括具有非常高的信道带宽的非常高的通带特性，因此带宽诸如通过所描述的键控或其它信号特性的匹配可以显著改进SWC降低an串扰的能力。[0029]可以通过使用2.MH过程或另一PCB制造过程来形成卡505和喇叭发射器535。尽管SWC存储器模块500示出S0-DMM实施例，但是喇叭配对部分525和喇叭发射器535的类似结构可以用于PCIExpressPCIe、下一代形状因子NGFF，M.2、板到板、板到柔性board-to-flex或用于任何其它印刷电路板PCB连接器组装件。此外，被键控或以其它方式的喇叭发射器535或喇叭配对部分525的存在在检测侵权方面可以是有用的。[0030]SWC存储器模块500提供各种有利的特征。例如，可以在组合快但小的存储器例如随机存取存储器RAM或较大但较慢的存储器例如只读存储器ROM的混合存储器模块内使用SWC存储器模块500。组合这些类型的存储器的一些解决方案包括持久性存储器、相变存储器、磁光驱动器和其它的使用。然而，RAM与ROM之间的接口上的数据速度（例如吞吐量限制限制组合现有RAM和ROM技术的能力。例如，使用差分信令的一些现有PCIExpress模块可以具有大约lOGbps的相关联的吞吐量。为了提供lTbps的期望的输送速率，即便最大可实现的吞吐量为40Gbps，这也将要求25条差分线路以实现lTbps的期望输送速率。相比之下，SWC存储器模块500为每一条非差分单线提供超过lOOGbps的速度（即不要求差分第二线），可以使用SWC存储器模块500内的接触件中的10个来实现lTbps。[0031]SWC存储器模块500提供具有足够高的吞吐量的接口以匹配RAM性能和预期。例如，SWC存储器模块500可以使得SWC连接的外部高速缓存能够以接近直接连接到中央处理单元CPU的高速缓存的那些的速度进行操作。类似地，SWC存储器模块500的使用可以提供与可移除的高速模块的接口。当使用外部存储器例如可移除的存储器作为第二线路存储器时，则当接口足够快以使外部存储器看起来就像它被制造在相同电路板上时显著改进外部存储器性能。这样的可移除的外部存储器模块的使用是有利的，因为可移除的存储器典型地更便宜且更容易在制造期间修改或由最终用户修改。可以利用SWC存储器模块500速度的存储器模块的示例包括用于第二级存储器、PCIExpress4.05.0、0ptane存储器模块的下一代接口和用于存储器、显示器或传感器的其它接口。[0032]图6描绘了依照本发明的至少一个实施例的衰减图表600。衰减图表600示出均作为频率的函数的lmtn喇叭发射器的衰减和10mm喇叭发射器的衰减。二者示出作为增加的频率的函数的衰减方面的总体降低，其与图1中所示的SWC损耗100—致。10mm喇叭发射器示出较低频率处的衰减方面的较大降低。照此，可以通过喇叭发射器尺寸的选择来提供期望的截止频率。[0033]图7描绘了依照本发明的至少一个实施例的串扰图表700。图表700示出针对手工喇叭发射器的作为频率的函数的串扰损耗。图表700示出衰减相对平坦并且对于较高频率疋椋定的。较闻频率中的该一致性与典型传输线路所展现的较高频率增加的衰减（即滚降roll-off形成对照，诸如图i中所示的滚降。[0034]图8描绘了依照本发明的至少一个实施例的传输线路串扰图表800。图表800示出由典型的传输线路展现的串扰，该串扰作为频率的函数而增加。这论证了对于较高频率信号诸如在增加的带宽信号中所使用的那些的典型传输线路的有限有用性。[0035]图9描绘了依照本发明的至少一个实施例的swc串扰图表900。图表900示出作为频率的函数的交叉耦合。传输信号（即对喇叭发射器的输入示出以较高频率的最低衰减。近串f对应于喇叭发射器的出口和SWC线路的进入点处的串扰，其展现比传输信号略微更低的衰减。远串扰对应于SWC线路的远端处的串扰，其展现串扰中的显著变化。SWC线路进入点和SWC线路远端处的屏蔽的长度和电感性质可以被选择成提供期望的衰减特性。[0036]图10描绘了依照本发明的至少一个实施例的非发射式SWC线路图表1000。使用移除其喇叭发射器的SWC线路来生成SWC线路图表1000。与相对稳定的串扰图表900相比，非发射式SWC线路图表1000示出作为距swc线路进入点的增加的距离的函数的增加但不规律的串扰幅度。可以基于期望的SWC吞吐量、SWC线路长度或其它参数来选择喇叭发射器存在性、尺寸和其它配置参数。[0037]图11图示了依照本发明的至少一个实施例的系统级图1100。例如，图丨丨描绘了包括如在本公开中描述的SWC连接的电子设备例如系统）的示例。包括图11以示出更高级设备应用的示例。在一个实施例中，系统包括但不限于台式计算机、膝上型计算机、上网本、平板电脑、笔记本计算机、个人数字助理PDA、服务器、工作站、蜂窝电话、移动计算设备、智能电话、因特网器具或任何其它类型的计算设备。在一些实施例中，系统1100是片上系统S0C系统。[0038]在一个实施例中，处理器1110具有一个或多个处理核1112和1112N，其中1112N表示处理器1110内的第N个处理器核，其中N是正整数。在一个实施例中，系统11〇〇包括多个处理器，包括1110和1105,其中处理器1105具有与处理器1110的逻辑类似或相同的逻辑。在一些实施例中，处理核1112包括但不限于提取指令的预提取逻辑、解码指令的解码逻辑、执行指令的执行逻辑等。在一些实施例中，处理器1110具有高速缓存存储器1116以高速缓存用于系统1100的指令和或数据。高速缓存存储器1116可以组织成包括高速缓存存储器116的一个或多个层级的分层结构。[0039]在一些实施例中，处理器1110包括存储器控制器1114，其可操作成执行功能，该功能使得处理器1110能够访问存储器113〇并且与其通信，所述存储器1130包括易失性存储器1132和或非易失性存储器1134。在一些实施例中，处理器1110与存储器1130和芯片组1120耦合。处理器1110还可以耦合到无线天线117S以与配置成发射和或接收无线信号的任何设备通信。在一个实施例中，无线天线接口II78依照以下进行操作但不限于以下：IEEE802.11标准及其相关家族、家庭插入八¥耶八¥、超宽带〇]耶）、蓝牙、\^11^^或任何形式的无线通信协议。[0040]在一些实施例中，易失性存储器II32包括但不限于同步动态随机存取存储器SDRAM、动态随机存取存储器①RAM、RAMBUS动态随机存取存储器RDRAM和或任何其它类型的随机存取存储器设备。非易失性存储器11M包括但不限于闪速存储器、相变存储器PCM、只读存储器ROM、电可擦除可编程只读存储器EEPR0M或任何其它类型的非易失性存储器设备。[0041]存储器1130存储要由处理器1110执行的信息和指令。在一个实施例中，存储器mo还可以在处理器mo执行指令的同时存储临时变量或其它中间信息。在所图示的实施例中，芯片组1120经由点对点（PtP、P-P、P2P接口1117和1122与处理器1110连接。芯片组1120使得处理器1110能够连接到系统11〇〇中的其他元件。在一些实施例中，接口1117和1122依照诸如Intel®QuickPath互连QPI等之类的PtP通信协议进行操作。在其它实施例中，可以使用不同的互连。[0042]在一些实施例中，芯片组112〇可操作成与处理器111〇、11〇5、显示设备1140和其它设备1172、1176、1174、1160、1162、1164、1166、1177等通信。芯片组1120还可以耦合到无线天线1178以与配置成发射和或接收无线信号的任何设备通信。[0043]芯片组112〇经由接口II26连接到显示设备1140。显示设备1140可以是例如液晶显示器LCD、等离子体显示器、阴极射线管CRT显示器或任何其它形式的视觉显示设备。在一些实施例中，将处理器1110和芯片组1120合并到单个SOC中。此外，芯片组1120连接到互连各种元件1174、116〇、1162、1164和1166的一个或多个总线115〇和1155。总线1150和1155可以经由总线桥接器1172互连在一起。在一个实施例中，芯片组1120经由接口1124和或1104与非易失性存储器116〇、（一个或多个大容量存储设备1162、键盘八鼠标1164和网络接口1166、智能TV1176、消费电子器件1177等耦合。[0044]在一个实施例中，大容量存储设备1162包括但不限于，固态驱动器、硬盘驱动器、通用串行总线闪速存储器驱动器或任何其它形式的计算机数据存储介质。在一个实施例中，网络接口1166通过任何类型的公知网络接口标准实现，包括但不限于以太网接口、通用串行总线USB接口、外围组件互连PCIExpress接口、无线接口和或任何其它合适类型的接口。在一个实施例中，无线接口依照以下进行操作，但不限于以下：IEEE802.11标准及其相关家族、家庭插入AVHPAV、超宽带UWB、蓝牙、WiMax或任何形式的无线通信协议。[0045]虽然将图11中所示的模块描绘为系统1100内的分离块，但是由这些块中的一些执行的功能可以集成在单个半导体电路内，或者可以使用两个或更多分离的集成电路实现。例如，尽管将高速缓存存储器1116描绘为处理器1110内的分离块，但是可以将高速缓存存储器1116或1116的所选方面合并到处理器核1112中。[0046]为了更好地说明本文所公开的方法和装置，在此提供实施例的非限制性列表。[0047]示例1是一种通信装置，包括:接触引脚;导电耦合到接触引脚的单线传输线路;以及在接触引脚和单线传输线路周围形成的第一二次成型体，第一二次成型体被结构化成提供通信喇叭发射器内的可移除的摩擦配合，单线传输线路从接触引脚和从通信喇叭发射器接收信号并且沿单线传输线路的外表面作为横向电磁波传播所述信号。[0048]在示例2中，示例1的主题可选地包括其中通信喇叭发射器附接到存储器模块，存储器模块通过接触引脚向单线传输线路提供所述信号。[0049]在示例3中，示例2的主题可选地包括其中存储器模块包括SO-DIMM模块。[0050]在示例4中，示例1-3中的任何一个或多个的主题可选地包括其中：第一二次成型体包括电容二次成型材料;通信喇叭发射器包括电容发射器材料;并且电容二次成型材料与电容发射器材料电容耦合。[0051]在示例5中，示例4的主题可选地包括其中电容二次成型材料包括钛酸钡。[0052]在示例6中，示例1_5中的任何一个或多个的主题可选地包括其中第一二次成型体包括部分角锥形结构。[0053]在示例7中，示例1_6中的任何一个或多个的主题可选地包括在接近于第一二次成型体的单线传输线路的部分上同轴设置的第二二次成型体，第二二次成型体降低与接近导体的电磁干扰。[0054]在示例8中，示例7的主题可选地包括其中第一二次成型体包括横向安装凸缘。[0055]在示例9中，示例8的主题可选地包括其中横向安装凸缘邻近于接近导体上的接近导体二次成型体。[0056]在示例10中，示例9的主题可选地包括其中横向安装凸缘与接近导体二次成型体电感耦合。[0057]在示例11中，示例10的主题可选地包括存储器模块插槽，其中横向安装凸缘机械连接到存储器模块插槽。[0058]在示例12中，示例10-11中的任何一个或多个的主题可选地包括其中存储器模块插槽包括SO-DIMM存储器插槽。[0059]在示例13中，示例7-12中的任何一个或多个的主题可选地包括其中第二二次成型体包括电感同轴二次成型体。[0060]在示例14中，示例13的主题可选地包括其中电感同轴二次成型体包括铁素体。[0061]在示例15中，示例1-14中的任何一个或多个的主题可选地包括在单线传输线路上同轴设置的电介质涂层。[0062]在示例16中，示例1-15中的任何一个或多个的主题可选地包括单线传输线路还从接触引脚接收电流并且沿单线传输线路的内部部分传播所述电流。[0063]示例17是一种通信的方法，包括:从通信喇叭发射器向接触引脚传播信号；从接触引脚通过接触引脚周围的第一二次成型体向单线传输线路传播所述信号，第一二次成型体被结构化成提供通信喇叭发射器内的可移除的摩擦配合；以及沿单线传输线路的外表面作为横向电磁波传播所述信号。[0064]在示例18中，示例17的主题可选地包括其中通信喇叭发射器附接到存储器模块，存储器模块通过接触引脚向单线传输线路提供所述信号。[0065]在示例19中，示例18的主题可选地包括其中存储器模块包括S0-DIMM模块。[0066]在示例20中，示例17-19中的任何一个或多个的主题可选地包括其中传播所述信号包括电容耦合第一二次成型体与通信喇叭发射器。[0067]在示例21中，示例20的主题可选地包括其中第一二次成型体包括钛酸钡。[0068]在示例22中，示例17-21中的任何一个或多个的主题可选地包括其中第一二次成型体包括部分角锥形结构。[0069]在示例23中，示例17-22中的任何一个或多个的主题可选地包括其中从接触引脚向单线传输线路传播所述信号包括通过在接近于第一二次成型体的单线传输线路的部分上同轴设置的第二二次成型体传播所述信号，第二二次成型体降低与接近导体的电磁干扰。[0070]在示例24中，示例23的主题可选地包括其中第一二次成型体包括横向安装凸缘。[0071]在示例25中，示例24的主题可选地包括其中横向安装凸缘设置成邻近于接近导体上的接近导体二次成型体。[0072]在示例26中，示例25的主题可选地包括其中横向安装凸缘与接近导体二次成型体电感耦合。[0073]在示例27中，示例26的主题可选地包括其中横向安装凸缘机械连接到存储器模块插槽。[0074]在示例28中，示例27的主题可选地包括其中存储器模块插槽包括S0-DIMM存储器插槽。[0075]在示例29中，示例23-28中的任何一个或多个的主题可选地包括其中第二二次成型体包括电感同轴二次成型体。[0076]在示例30中，示例29的主题可选地包括其中电感同轴二次成型体包括铁素体。[0077]在示例31中，示例30的主题可选地包括其中第二二次成型体形式包括烧结的粉末状铁素体。[0078]在示例32中，示例17-31中的任何一个或多个的主题可选地包括其中沿单线传输线路的外表面传播所述信号包括在单线传输线路上同轴的电介质涂层内传播所述信号。[0079]在示例33中，示例17-32中的任何一个或多个的主题可选地包括通过接触引脚并且沿单线传输线路的内部部分传播电流。[0080]示例34是包括指令的至少一个机器可读介质，所述指令在由计算系统执行时，使得计算系统执行示例17-33的方法中的任何一个。[0081]示例35是一种装置，包括用于执行示例17-33的方法中的任何一个的部件。[0082]示例36是至少一个机器可读存储介质，包括多个指令，所述多个指令响应于利用计算机控制的设备的处理器电路执行，使得计算机控制的设备:从通信喇叭发射器向接触引脚传播信号;从接触引脚通过接触引脚周围的第一二次成型体向单线传输线路传播所述信号，第一二次成型体被结构化成提供通信喇叭发射器内的可移除的摩擦配合;并且沿单线传输线路的外表面作为横向电磁波传播所述信号。[0083]在示例37中，示例36的主题可选地包括其中通信喇叭发射器附接到存储器模块，存储器模块通过接触引脚向单线传输线路提供所述信号。[0084]在示例38中，示例37的主题可选地包括其中存储器模块包括SO-DI丽模块。[0085]在示例39中，示例36-38中的任何一个或多个的主题可选地包括其中使得计算机控制的设备传播所述信号的指令包括使得计算机控制的设备电容耦合第一二次成型体与通信喇叭发射器的指令。[0086]在示例40中，示例39的主题可选地包括其中第一二次成型体包括钛酸钡。[0087]在示例41中，示例36-40中的任何一个或多个的主题可选地包括其中第一二次成型体包括部分角锥形结构。[0088]在示例42中，示例36-41中的任何一个或多个的主题可选地包括其中使得计算机控制的设备从接触引脚向单线传输线路传播所述信号的指令包括使得计算机控制的设备通过在接近于第一二次成型体的单线传输线路的部分上同轴设置的第二二次成型体传播所述信号的指令，第二二次成型体降低与接近导体的电磁千扰。[0089]在示例43中，示例42的主题可选地包括其中第一二次成型体包括横向安装凸缘。[0090]在示例44中，示例43的主题可选地包括所述多个指令还使得计算机控制的设备将横向安装凸缘设置成邻近于接近导体上的接近导体二次成型体。[0091]在示例45中，示例44的主题可选地包括其中横向安装凸缘与接近导体二次成型体电感耦合。[0092]在示例46中，示例45的主题可选地包括其中横向安装凸缘机械连接到存储器模块插槽。[0093]在示例47中，示例46的主题可选地包括其中存储器模块插槽包括S0-DIMM存储器插槽。[0094]在示例48中，示例42-47中的任何一个或多个的主题可选地包括其中第二二次成型体包括电感同轴二次成型体。[0095]在示例49中，示例48的主题可选地包括其中电感同轴二次成型体包括铁素体。[0096]在示例50中，示例49的主题可选地包括其中第二二次成型体包括烧结的粉末状铁素体。[0097]在示例51中，示例36-50中的任何一个或多个的主题可选地包括其中使得计算机控制的设备沿单线传输线路的外表面传播所述信号的指令包括使得计算机控制的设备在单线传输线路上同轴的电介质涂层内传播所述信号的指令。[0098]在示例52中，示例36-51中的任何一个或多个的主题可选地包括所述多个指令还使得计算机控制的设备通过接触引脚并且沿单线传输线路的内部部分传播电流。[0099]示例53是一种通信装置，包括：用于从通信喇叭发射器向接触引脚传播信号的部件;用于从接触引脚通过接触引脚周围的第一二次成型体向单线传输线路传播所述信号的部件，第一二次成型体被结构化成提供通信喇叭发射器内的可移除的摩擦配合；以及用于沿单线传输线路的外表面作为横向电磁波传播所述信号的部件。[0100]在示例54中，示例53的主题可选地包括其中通信喇叭发射器附接到存储器模块，存储器模块通过接触引脚向单线传输线路提供所述信号。[0101]在示例55中，示例54的主题可选地包括其中存储器模块包括S0-DIMM模块。[0102]在示例56中，示例53-55中的任何一个或多个的主题可选地包括其中用于传播所述信号的部件包括电容耦合第一二次成型体与通信喇叭发射器。[0103]在示例57中，示例56的主题可选地包括其中第一二次成型体包括钛酸钡。[0104]在示例58中，示例53-57中的任何一个或多个的主题可选地包括其中第一二次成型体包括部分角锥形结构。[0105]在示例59中，示例53-58中的任何一个或多个的主题可选地包括其中用于从接触引脚向单线传输线路传播所述信号的部件包括用于通过在接近于第一二次成型体的单线传输线路的部分上同轴设置的第二二次成型体传播所述信号的部件，第二二次成型体降低与接近导体的电磁干扰。[0106]在示例60中，示例59的主题可选地包括其中第一二次成型体包括横向安装凸缘。[0107]在示例61中，示例60的主题可选地包括用于将横向安装凸缘设置成邻近于接近导体上的接近导体二次成型体的部件。[0108]在示例62中，示例61的主题可选地包括其中横向安装凸缘与接近导体二次成型体电感耦合。[0109]在示例63中，示例62的主题可选地包括其中横向安装凸缘机械连接到存储器模块插槽。[0110]在示例64中，示例63的主题可选地包括其中存储器模块插槽包括S0-DIMM存储器插槽。[0111]在示例65中，示例59-64中的任何一个或多个的主题可选地包括其中第二二次成型体包括电感同轴二次成型体。[0112]在示例66中，示例65的主题可选地包括其中电感同轴二次成型体包括铁素体。[0113]在示例67中，示例66的主题可选地包括其中第二二次成型体形式包括烧结的粉末状铁素体。[0114]在示例68中，示例53-67中的任何一个或多个的主题可选地包括其中用于沿单线传输线路的外表面传播所述信号的部件包括用于在单线传输线路上同轴的电介质涂层内传播所述信号的部件。[0115]在示例69中，示例53-68中的任何一个或多个的主题可选地包括用于通过接触引脚并且沿单线传输线路的内部部分传播电流的部件。[0116]示例70是包括指令的至少一个机器可读介质，所述指令在由机器执行时，使得机器执行示例1-69的操作中的任何一个的操作。[0117]示例71是一种装置，包括用于执行示例1-69的操作中的任何一个的部件。[0118]示例72是一种执行示例1-69中的任何一个的操作的系统。[0119]示例73是一种执行示例1-69中的任何一个的操作的方法。[0120]以上详细描述包括对形成详细描述的部分的附图的参照。各图通过图示的方式示出其中可以实践本发明的具体实施例。这些实施例在本文中还称为“示例”。这样的示例可以包括除了所示出或描述的那些之外的元件。然而，本发明人还设想到其中仅提供所示出或描述的那些元件的示例。而且，本发明人还设想到使用所示出或描述的那些元件或其一个或多个方面关于特定示例（或其一个或多个方面或关于本文不出或描述的其它不例或其一个或多个方面的任何组合或排列的示例。[0121]在本文档中，使用术语“一”或“一个”，如专利文档中常见的，以包括一个或多于一个，与“至少一个”或“一个或多个”的任何其它实例或使用无关。在本文档中，术语“或”用于指代非排他性的或，使得“A或B”包括“A但非B”、“B但非A”和“A和B”，除非另行指示。在本文档中，术语“包含”和“在其中”被用作相应术语“包括”和“其中”的简明英语等同物。而且，在随附权利要求中，术语“包含”和“包括”是开放式的，也就是说，包括除了在权利要求中的这样的术语之后列出的那些之外的要素的系统、设备、制品、组成、公式或过程仍旧被视为落在该权利要求的范围内。而且，在随附权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅仅用作标记，并且不意图对其对象强加数值要求。[0122]以上描述意图是说明性而非限制性的。例如，以上描述的示例或其一个或多个方面可以与彼此组合地使用。可以使用其它实施例，诸如通过本领域普通技术人员在回顾以上描述时。提供摘要以允许读者快速查明技术公开内容的实质。提出以下理解:其将不用于解释或限制权利要求的范围或含义。在以上具体实施方式中，各种特征可以成组在一起以流线化本公开。这不应当解释为未要求保护的公开特征对任何权利要求是必要的这一意图。而是，发明主题可以在于少于特定公开实施例的全部特征。因此，随附权利要求由此并入到具体实施方式中，其中每一个权利要求独立作为分离的实施例，并且设想到，这样的实施例可以以各种组合或排列而与彼此组合。本发明的范围应当参考随附权利要求连同这样的权利要求被授予的等同方案的完整范围来确定。

权利要求：1.一种通信装置，包括：接触引脚；导电耦合到接触引脚的单线传输线路;以及在接触引脚和单线传输线路周围形成的第一二次成型体，第一二次成型体被结构化成提供通信喇叭发射器内的可移除的摩擦配合，单线传输线路从接触引脚和从通信喇叭发射器接收信号并且沿单线传输线路的外表面作为横向电磁波传播所述信号。2.根据权利要求1所述的装置，其中：第一二次成型体包括电容二次成型材料；通信喇叭发射器包括电容发射器材料;并且电容二次成型材料与电容发射器材料电容耦合。3.根据权利要求2所述的装置，其中电容二次成型材料包括钛酸钡。4.根据权利要求1所述的装置，其中第一二次成型体包括部分角锥形结构。5.根据权利要求1所述的装置，还包括在接近于第一二次成型体的单线传输线路的部分上同轴设置的第二二次成型体，第二二次成型体降低与接近导体的电磁干扰。6.根据权利要求5所述的装置，其中第一二次成型体包括横向安装凸缘。7.根据权利要求6所述的装置，其中横向安装凸缘邻近于接近导体上的接近导体二次成型体。8.根据权利要求7所述的装置，其中横向安装凸缘与接近导体二次成型体电感耦合。9.根据权利要求5所述的装置，其中第二二次成型体包括电感同轴二次成型体。10.根据权利要求9所述的装置，其中电感同轴二次成型体包括铁素体。11.根据权利要求1所述的装置，还包括在单线传输线路上同轴设置的电介质涂层。12.根据权利要求1所述的装置，单线传输线路还从接触引脚接收电流并且沿单线传输线路的内部部分传播所述电流。13.—种通信的方法，包括：从通信喇叭发射器向接触引脚传播信号；从接触引脚通过接触引脚周围的第一二次成型体向单线传输线路传播所述信号，第一二次成型体被结构成提供通信喇叭发射器内的可移除的摩擦配合;以及沿单线传输线路的外表面作为横向电磁波传播所述信号。14.根据权利要求13所述的方法，其中传播所述信号包括电容耦合第一二次成型体与通信喇叭发射器。15.根据权利要求13所述的方法，其中第一二次成型体包括部分角锥形结构。16.根据权利要求13所述的方法，其中从接触引脚向单线传输线路传播所述信号包括通过在接近于第一二次成型体的单线传输线路的部分上同轴设置的第二二次成型体传播所述信号，第二二次成型体降低与接近导体的电磁干扰。17.根据权利要求16所述的方法，其中第一二次成型体包括横向安装凸缘。18.根据权利要求17所述的方法，其中横向安装凸缘设置成邻近于接近导体上的接近导体二次成型体。19.根据权利要求18所述的方法，其中横向安装凸缘与接近导体二次成型体电感耦合。20.根据权利要求16所述的方法，其中第二二次成型体包括电感同轴二次成型体。21.根据权利要求20所述的方法，其中电感同轴二次成型体包括铁素体。22.根据权利要求13所述的方法，其中沿单线传输线路的外表面传播所述信号包括在单线传输线路上同轴的电介质涂层内传播所述信号。23.根据权利要求13所述的方法，还包括通过接触引脚并且沿单线传输线路的内部部分传播电流。24.包括指令的至少一个机器可读介质，所述指令在由计算系统执行时，使得计算系统执行权利要求13-23所述的方法中的任何一个。25.—种通信装置，包括：用于从通信喇叭发射器向接触引脚传播信号的部件；用于从接触引脚通过接触引脚周围的第一二次成型体向单线传输线路传播所述信号的部件，第一二次成型体被结构化成提供通信喇叭发射器内的可移除的摩擦配合;以及用于沿单线传输线路的外表面作为横向电磁波传播所述信号的部件。

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