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申请/专利权人:美光科技公司
摘要:一些实施例包含形成集成组件的方法。构造被形成为包含具有顶表面和从所述顶表面向下延伸的一对侧壁表面的导电结构。绝缘材料在所述顶表面的上方,并且轨道沿着所述侧壁表面。所述轨道包含牺牲材料。去除所述牺牲材料以留下开口。密封剂材料形成为在所述开口内延伸。所述密封剂材料具有比所述绝缘材料低的介电常数。一些实施例包含具有导电结构的集成组件,所述导电结构具有顶表面和从所述顶表面向下延伸的一对相对的侧壁表面。绝缘材料在所述顶表面的上方。空隙沿着所述侧壁表面并且被密封剂材料覆盖。所述密封剂材料具有比所述绝缘材料低的介电常数。
主权项:1.一种形成集成组件的方法,其包括:形成构造以沿着剖面包含导电结构,所述导电结构具有顶表面和从所述顶表面向下延伸的一对相对的侧壁表面;所述构造还包含在所述顶表面上方的绝缘材料,并且包含沿着所述侧壁表面的轨道;所述轨道中的每一个包括沿着非牺牲材料的面板的牺牲材料;沿着所述非牺牲材料的所述面板的一部分去除所述牺牲材料的厚度的一部分;去除所述牺牲材料以在所述侧壁表面与所述非牺牲材料的所述面板之间留下开口;以及形成密封剂材料以在所述开口内延伸;所述密封剂材料具有比所述绝缘材料低的介电常数。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 美光科技公司 具有沿导电结构的介电区域的集成组件以及形成集成组件的方法
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